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第二章谐振功率放大器（Resonate Power Amplifier） 第一节：谐振功率放大器的工作原理 一、丙类谐振功率放大器原理 ⑶集电极效率 二、丁类和戊类谐振功放 第二节：谐振功放的性能特点 一、近似分析法（准静态分析法）： 二、欠压、临界、过压状态 三、四个电压参量对性能的影响 2、调制特性和电路（集电极调制和基极调制特性） ⑴集电极调制特性及电路 （VBB、Vbm、Re一定时， 性能随Vcc变化特性） ⑵基极调制特性及其电路 ⑶放大特性 第三节谐振功率放大器电路 一、直流馈电电路（Power Supply Circuit） 3、基极偏置电路 二、滤波匹配网络（Filter-Matched Network） 1、对网络要求 2、常用的滤波匹配网络阻抗特性分析 ⑴电路模型 ⑶利用串并公式分析匹配网络，求各元件表达式 例1：T型网络，要求与Re和Co串接阻抗匹配，试求各元件表达式 例2、 例题3、Π型滤波匹配络，要求与Re、Co的并接阻抗匹配。试求各元件表达式。 常用滤波匹配网络的结构及其元件表达式 三、谐振功率放大器电路 第四节、高频功率放大器 一、高频功率管及其大信号输入和输出阻抗 测试电路 * Vcc VBB Vb（t） T vc Lr Cr ZL Vo（t） CL RL ZL天线 ZL：外接负载（阻抗性元件） Lr和Cr：为匹配网络与ZL构成并联谐振回路 VBB：偏置电压，设置在截止区内 设Vb（t）=VbmCOSWst VBE（t）=VBB+VbmCOSWSt iC VBE Wt Wt Wt Wt iC vCE vC Ico ⑴.ic脉冲电流，利用傅立叶级数展开 Ico：ic的平均分量 Ic1m： ic的基波分量 Ic2m： ic的二次谐波分量 ⑵.谐振电阻Re，在高Q回路中： Re RL Lr Cr CL Lr Ct Re W0为回路固有谐振频率；WS为基波频率 Qe为回路有载品质因数。当Ws=W0时回路 的阻抗最大，这时基波分量产生的电压也 最大，而平均分量和各次谐波分量产生的 电压均可忽略。 将电抗负载变成谐振电阻，具有阻抗匹配和选频作用 丙类工作时：管子的导通时间t↓→Ico↓→η↑ ↓→Ic1m↓→Po↓ Imax// iC VBE Wt iC VBB/ icmax/ 在效率不变时提高输出功率的方法： VBB// Vbm↑同时VBB↓→Po ↑， Vbm+ VBB必须小于 发射结击穿电压。 RL L C Vcc A + - Vi T1 T2 ic1 ic2 Vb1 Vb2 + + - - Vi VA ic1 ic2 VL t t t t t L、C构成串联谐振回路，其固有谐振频率f0，，在高Q时 当fs=f0时：VL=VC1mCOSWst，其余频率分量被衰减 当nfs=f0时，构成倍频器：VL=VC1mCOSnWst，其余频率分量被 衰减，的到N次谐波分量。但N不能取太大，由于高次谐波分量 远小于基波分量，因此N取太大时，基波分量无法滤掉。 由于工作在开关状态，因此效率很高，可达90%以上。 Vce ic 戊类谐振功放 线性功放：集电极为纯电阻，可用交流负载线来分析；而谐振功放的集电极的电流 为脉冲波、电压为余弦波，不能用上述方法。 ⑴设谐振回路具有理想滤波特性：只有W=W0的基波分量、Vcnm=0 ib：脉冲波、ic：脉冲波；Vbe：余弦波、Vce：余弦波 Vbe=VBB+Vbmcoswt Vce=Vcc-Vcmcoswt ic Ico Ic1m Vc1m Re= Vc1m Ic1m PD=VCCICO PO=IC1mVC1m/2 PC=PD-PO η=PO/PD ⑵输出特性曲线ic（Vbe，Vce）来分析谐振功放的性能 忽略高频效应 ic Vbe wt wt VBB B Vce A A/ A// AB为动态曲线，当Vbe 从最大值→0时，ic与Vce 从A→B点。集电极电流 为脉冲波形。 从图中可得到，设定 不同的VBB、Vbm、VCC、Vcm 得到Ic的脉冲波形极其数值就不同， 由此所需的Re值及相应的功率性能 也不同。 因此必须了解这四个参量的变化对 电路功率性能的影响。 ic Vbe wt wt VBB B Vce A A/ A// A点在特性曲线放大区→欠压（Undervoltage）状态 A点在特性曲线临界点→临界（Critical）状态 A点在特性曲线饱和区→过压（Overvoltage）状态 1、负载特性： 在VBB、Vbm、VCC、一定时，性能随Re变化特性 ∵Re↑→Vc1m↑ ic w