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6-时序逻辑
时序逻辑设计
引言
静态寄存器
多路开关型
减少时钟负载
非理想时钟信号
动态寄存器
动态传输门边沿触发寄存器
改善抗噪声的能力
其他寄存器
时钟控制CMOS寄存器
真单相钟控寄存器
脉冲寄存器
流水线
State Key Lab of ASIC Systems, Fudan University,Lai
时序逻辑设计
引言
存储单元的分类
时序电路的时间参数
静态寄存器
动态寄存器
其他寄存器
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寄存器保持系统的状态
寄存器可以是静态的
也可以是动态的
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存储单元的分类
Foreground vs Background memory
Foreground :嵌入在逻辑中的存储器。如:单个寄存器或寄存器
组( register banks)
Background :大量的集中存储内核(使用阵列结构),称为后
台存储器,高密度,高性能,如RAM, ROM,需要解决的关键
是单元面积尽可能小、速度尽可能快,可以牺牲噪声容限
Static versus dynamic memory
Static :稳态时信号节点是通过一个低阻路径连接到 VDD 或 VSS
上的存储器。例如:用正反馈或再生原理构成的存储器,只要
一上电,就会一直保持其状态。
Dynamic:信号暂存在高阻节点电容上,必须周期性地刷新以弥
补泄漏的电荷的存储器,不满足低阻路径原则。性能高、面积小
Latches versus registers
latches are level sensitive
registers are edge triggered
State Key Lab of ASIC Systems, Fudan University,Lai
Latch versus register 正锁存器(高电平透明)
负锁存器(低电平透明)
正沿触发寄存器
负沿触发寄存器
State Key Lab of ASIC Systems, Fudan University,Lai
时序逻辑设计
引言
存储单元的分类
时序电路的时间参数
静态寄存器
动态寄存器
其他寄存器
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Timing Definitions
Timing Definitions
1. tsetup= setup time: time data must be valid before clock edge
2. thold = hold time: time data must be valid after clock edge
3. tc-q = 最坏条件下的传播延迟(ref. to the clock edge)
4. tcd = 最好条件下的传播延迟(Contamination Delay )
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Minimum clock period
寄存器1和寄
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