第二章节双极型晶体管及其放大电路.ppt

* 模拟电子技术 * 图2―6 共发射极输入特性曲线 * 模拟电子技术 * ＋ － U i R i2 A 2 ＋ － U o R i1 U s2 R s2 R L R in U s(n+1) R s(n+1) U sn R sn R o R i A 1 A n-1 A n 级联放大器的框图 U s R s (1) 第i级的负载是第i+1级的输入电阻(1in)； (2) 第i级的信号源内阻是第i-1级的输出电阻； * 模拟电子技术 * 常见双极型晶体三极管型号的含义 3 D G 6 三极管 NPN型 Si材料 高频小功率管 序号 A： PNP型 Ge材料 B： NPN型 Ge材料 C： PNP型 Si材料 A：高频大功率管 D：低频大功率管 G：高频小功率管 # # * * D： NPN型 Si材料 X：低频小功率管 * 模拟电子技术 * 交流小信号情况下三极管伏安特性的近似及简化的三极管等效电路 i B u BE Q O ＋ － b e u C E O i C Q ＋ － c e ＋ － b e ＋ － c e * 模拟电子技术 * c e b r bb′ r cc′ P N ＋ N ＋ N C b′ c C b′ e r ee′ b′ 图2―26平面管结构示意图 b′：基区的理论基极 r bb′通常取值200Ω * 模拟电子技术 * ＋ － ＋ r bb′ r b′ e b′ b c e 考虑基区体电阻及引线接触电阻引入的参数 e * 模拟电子技术 * 考虑基区宽度调制效应和PN结的电容效应时如何修改等效模型？ i B u BE Q O u C E O i C Q * 模拟电子技术 * 见图1 见图2 图1 ＋ － u be ＋ － u ce b c e r bb′ b′ * 模拟电子技术 * ＋ － u be ＋ － u ce b c e r bb′ b′ 图2 * 模拟电子技术 * ＋ － u be ＋ － u ce b c e r bb′ b′ 考虑基区宽度调制效应引入的参数 * 模拟电子技术 * ＋ － ＋ － u ce r ce b c e r bb′ r b′ e b′ r b′ c 图2―27(a)完整的混合π型电路模型(高频模型) e c e C b′ C b′ u be 考虑PN结电容引入的参数 * 模拟电子技术 * ＋ － ＋ r bb′ r b′ e b′ b c e 实用的低频混合π型电路模型 － * 模拟电子技术 * 画出下图电路的交、直流通路 * 模拟电子技术 * 画出下图电路的交、直流通路 * 模拟电子技术 * 输出接负载 * 模拟电子技术 * 带负载时输入、输出波形 输入 输出 * 模拟电子技术 * 输出不接负载 * 模拟电子技术 * 无负载时输入、输出波形 输入 输出 * 模拟电子技术 * 空载时的非线性失真系数 有载时的非线性失真系数 * 模拟电子技术 * i B I B Q t i B I B Q u BE u BE t U BE Q Q点不合适产生的截止失真 * 模拟电子技术 * 图2―39阻容耦合与变压器耦合的方框图 ＋ － U i R i2 A 1 A 2 ＋ － U o C (a)阻容耦合框图 ＋ － U i R i2 A 1 A 2 ＋ － U o N 2 N 1 R i2 ′ (b)变压器耦合框图 * 模拟电子技术 * U o R E2 U CC U o U CC (a)垫高后级的发射极电位 * 模拟电子技术 * (b)稳压管电平移位 U o U CC * 模拟电子技术 * (c)电阻和恒流源电平移位 U CC U o Q U i Q R I o U o U CC NPN PNP 图2―40直接耦合电平配置方式实例 (d)NPN、PNP管级联 * 模拟电子技术 * 可见，RE1的接入，使得Au减小了约10倍。但是，由于输入电阻增大，因而Aus与Au的差异明显减小了。 * 模拟电子技术 * 作 业 2-28 2-30 * 模拟电子技术 * 2―7 共集电极放大器和共基极放大器 2―7―1共集电极放大器 ＋ － － ＋ U o U i U s R s R B2 C 1 R E R L U CC R B1 ＋ C 2 (a)电路 * 模拟电子技术 * 图2―36共集电极放大器及交流等效电路 (b)交流等效电路 U i R i ＋ ＋ － － R s U s R B1 I b R o R B2 r be βI b b c I c I e R E R L I o R i ′ I i e * 模拟电子技术 * 1.电压放大倍数Au 因而 式中： * 模拟电子技术 * 2.电流放大倍数Ai 在图2―36(b)中，当忽略RB1