6H￣SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备-发光学报.PDFVIP

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2017-10-06 发布于天津
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6H￣SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备-发光学报.PDF

第３８卷　第６期发　光　学　报Ｖｏｌ３８Ｎｏ６２０１７年６月ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥＪｕｎｅꎬ２０１７文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０６￣０７５３￣０７６Ｈ￣ＳｉＣ衬底上ＡｌＧａＮ基垂直结构紫外ＬＥＤ的制备 ∗ 刘明哲ꎬ李鹏翀ꎬ邓高强ꎬ张源涛 ꎬ张宝林 (吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室ꎬ吉林长春　１３００１２) 摘要:利用金属有机物化学气相沉积方法ꎬ在ｎ型６Ｈ￣ＳｉＣ衬底上制备了１５对Ｓｉ掺杂ＡｌＧａＮ/ ＡｌＧａＮ０.１９０.８１０.３７０.６３ＤＢＲꎬ并采用低温ＡｌＮ缓冲层有效抑制了ＤＢＲ结构中裂纹的产生ꎬ得到了表面均方根粗糙度仅为０.４ｎｍ且导电性能良好的ｎ型ＤＢＲꎬ其在３６９ｎｍ处峰值反射率为６８％ꎬ阻带宽度为１０ｎｍꎮ 在获得导电ＤＢＲ的基础上ꎬ进一步在ｎ型６Ｈ￣ＳｉＣ衬底上构建了有、无ＤＢＲ的垂直结构紫外ＬＥＤꎮ 对比两者电致发光光谱ꎬ发现ＤＢＲ结构的引入有效增强了ＬＥＤ紫外发光强度ꎮ 关　键　词:ＡｌＧａＮꎻ紫外发光二极管ꎻ分布式布拉格反射镜ꎻ金属有机物化学气相沉积ꎻ垂直结构中图分类号:ＴＮ３８３ꎻＴＨ６９１.９　　　文献标识码:Ａ　　　ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０７５３ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆＶｅｒｔｉｃａｌＳｔｒｕｃｔｕｒｅＵｌｔｒａｖｉｏｌｅｔＬＥＤｏｎ６Ｈ￣ＳｉＣＳｕｂｓｔｒａｔｅ ∗ ＬＩＵＭｉｎｇ￣ｚｈｅꎬＬＩＰｅｎｇ￣ｃｈｏｎｇꎬＤＥＮＧＧａｏ￣ｑｉａｎｇꎬＺＨＡＮＧＹｕａｎ￣ｔａｏ ꎬＺＨＡＮＧＢａｏ￣ｌｉｎ (ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓꎬＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＪｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ１３００１２ꎬＣｈｉｎａ) ∗ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｚｈａｎｇｙｔ＠ｊｌｕ.ｅｄｕ.ｃｎＡｂｓｔｒａｃｔ:Ｓｉｌｉｃｏｎ￣ｄｏｐｅｄＡｌＧａＮ/ ＡｌＧａＮＤＢＲｓｗｅｒｅｇｒｏｗｎｏｎｎ￣ｔｙｐｅ６Ｈ￣ＳｉＣｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ０.１９０.８１０.３７０.６３ｂｙｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ(ＭＯＣＶＤ). Ｔｏｓｕｐｐｒｅｓｓｔｈｅｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆｃｒａｃｋｓꎬａｌｏｗ￣ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＡｌＮｐｒｅ￣ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｌａｙｅｒｏｎ６Ｈ￣ＳｉＣ(０００１)ｓｕｂｓｔｒａｔｅｗａｓｕｓｅｄａｓｂｕｆｆｅｒ. Ａｓｍｏｏｔｈ￣ｓｕｒ￣ｆａｃｅ１５￣ｐａｉｒｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＤＢＲｗｉｔｈａｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅｏｆ６８％ａｔ３６９ｎｍｗａｓｏｂｔａｉｎｅｄ. Ｔｈｅｓｔｏｐ￣ｂａｎｄｂａｎｄｗｉｄｔｈａｎｄＲＭＳｖａｌｕｅｏｆＤＢＲａｒｅ１０ｎｍａｎｄ０.４ｎｍꎬｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ. ＦｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅꎬｔｈｅｖｅｒｔｉｃａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅＵＶＬＥＤｓｗｉｔｈａｎｄｗｉｔｈｏｕｔｎ￣ＤＢＲｏｎ６Ｈ￣ＳｉＣｓｕｂｓｔ