计算机组成原理实验报告二 半导体存储器原理实验.docVIP

半导体存储器原理实验 一、实验目的： 1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。 2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。 二、实验要求： 按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。 三、实验方案及步骤： 1、按实验连线图接线，检查正确与否，无误后接通电源。 2、根据存储器的读写原理，按表2.1的要求，将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。 3、根据实验指导书里面的例子练习 ，然后按要求做练习一、练习二的实验并记录相关实验结果。 4、比较实验结果和理论值是否一致，如果不一致，就分析原因，然后重做。 四、实验结果与数据处理： （1）表2.1各控制端的状态 控制信号 写地址 写内容 读内容 SW-B 0 0 1 LDAR 1 0 0 CE 1 0 0 WE × 1 0 （2）练习操作 数据1：（AA）16 =2 写入操作过程： 1)写地址操作： ①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置可。 ②应设置有关控制端的开关状态：先在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。 ③应与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。 ④应关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。 2）写内容操作： ①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置 ②应设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。 ③应与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116址单元中：再按一下微动开关START即可。 ④应关闭片选信号和写命令信号：即CE=1,WE=0。 读出操作过程： 1）写地址操作： 参考写入操作的写地址操作 2）读内容操作： ①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。 ②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。 ③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。此址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。 数据2：（55）16 =2 写入操作过程： 1)写地址操作： ①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置 ②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。 ③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。 ④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。 2）写内容操作： ①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置 ②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。 ③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116址单元中：按一下微动开关START即可。 ④关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。 读出操作过程： 1）写地址操作： 参考写入操作的写地址操作 2）读内容操作： ①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。 ②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。 ③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。此址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。 数据3：（33）16 =2 写入操作过程： 1)写地址操作： ①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开