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第三章 硅和硅片制备
东南大学无锡分校
第三章 硅和硅片制备
东南大学无锡分校
晶体生长
东南大学无锡分校
§3.1半导体级硅
东南大学无锡分校
一、半导体级硅
semiconductor-grade silicon,SGS
高纯度硅,纯度99.9999999%
矿石→SGS
↑
沙子、石英
二、半导体级硅的制备
东南大学无锡分校
制备半导体级硅 (SGS) 的过程
步骤 过程描述 反应方程式
用碳加热硅石至2100℃左
1 右来制备冶金级硅(MGS) SiC (s) + SiO (s) Si (l) + SiO(g) + CO (g)
2
(杂质大约2% )
通过化学反应将冶金级硅进
2 一步提纯为三氯硅烷 Si (s) + 3HCl (g) SiHCl (g) + H (g) + heat
3 2
(SiHCl )
3
利用西门子方法,通过三氯
3 硅烷和氢气反应来生产半导 2SiHCl3 (g) + 2H2 (g) 2Si (s) + 6HCl (g)
体级硅 (SGS)
三、硅的晶体结构
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1. 晶向
东南大学无锡分校
晶列:晶格中的原子处在的一系列方向相同的平行直线
系上
晶向:空间点阵中各阵点列的方向(连接点阵中任意结
点列的直线方向) (一族晶列所指的方向,可由连接
晶列中相邻格点的矢量的方向来标记)
晶向指数:u v w
2. 晶向族等效晶向
东南大学无锡分校
晶向族:晶体中原子排列情况相同但空间位向不同的
一组晶向。用uvw表示
100 110 111
3. 晶面
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晶面:通过空间点阵中任意一组阵点的平面(在点阵中由
结点构成的平面)
晶面指数: (h l k)
Z Z Z
Y Y Y
X
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