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2017-09-24 发布于湖北
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Litho Process 中文.pdf

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Litho Process 中文

光刻( ＰＲ)技术定义：把设计回路的图形通过光刻胶转移到硅基板上,作为下一次加工的Mask(掩模). 其转移过程要遵循精确(线宽大小忠实于设计)与无偏差(和下层图形之间无偏差)的两大原则. Confidential 精确与无偏差设计回路曝光光源掩模板光刻胶硅片(下层图形) Confidential 1.什么光刻工艺 2.在半导体制造工艺中光刻工程所处位置 3.光刻工艺中个别工程的具体说明 3.1 涂胶工艺 3.2 曝光工艺 3.3 显影工艺 3.4 检测工艺 4.光刻技术的根本及发展方向 4.1 曝光工艺的改善 4.2 光学原理 4.3 光刻胶原理 4.2 光学对准原理 5.光刻区域常见的缺陷 Confidential 1.什么光刻工艺即为了下一道工序能在硅基板(硅片)上进行有选择的刻蚀或离子注入而形成Mask的工程. 光刻胶ＳｉＯ等 ① 涂光刻胶 ① ２硅片曝光用的光 ② 曝光掩模板(Mask) ② ③ 显影 ④ 检查工程 ③ 进入下一步刻蚀或离子注入 Confidential 2.在半导体制造工艺中光刻工程所处位置膜形成刻蚀 •扩散 •Dry 光刻工程 •CVD •Wet •金属溅射离子注入光刻工程是唯一形成图形的工程，因此整个制造工艺中必要的光刻次数也决定了整个工艺的长度. Confidential 3.光刻工艺中个别工程的具体说明光刻工艺中的个别工程１光刻胶涂胶工程 (涂胶机) * 用HMDS 的气氛吹拂硅片表面,调整硅片表面亲水ＨＭＤＳ处理性和疏水性的平衡,从而使光刻胶与硅片的粘附性