纳米粒子大小效应的x-射线光电子能谱研究：2.应用研究.pptVIP

x射线光电子谱表征纳米粒子材料：II. 应用研究 D.-Q.Yang and E.Sacher Department of Engineering Physics école Polytechnique of Montréal 报告提纲 引言 XPS在纳米粒子和纳米结构中的应用 薄膜的初始生长 Cu纳米粒子的室温表面扩散和粗化 单分散Si纳米粒子在空气中的氧化问题 纳米粒子的初始粗化和薄膜附着力的关系 XPS在纳米粒子中的电子光发射增强效应和晶粒趋向效应 XPS分析纳米粒子多孔Si薄膜的室温氧化动力学过程 结论 I. 引言 简要回顾x射线光电子谱（XPS）中的纳米粒子大小效应: 同一元素两个不同结合能的光电子峰强度比由于不同的逃逸深度（或平均自由程）导致与大小有关的变化.这个变化可用来估算纳米粒子的平均大小。这两个峰的结合能分离越大，峰强度（面积或高度）比对粒子大小越灵敏。 芯电子谱结合能的变化和峰半高宽（FWHM）与粒子的大小成反比。粒子越小，其结合能越向高结合能方向移动。 价电子峰随粒子大小减小向高结合能方向移动，并且其峰宽度随粒子减小而窄化。 XPS中俄歇参数移动，Wagner曲线，及其初态和终态效应等均与粒子的大小有关。粒子大小变化对XPS参数的主要影响主要发生在6 纳米一下。所以XPS是研究纳米粒子（团簇或量子点）大小有关的很好的方法。其主要缺点是粒子的平均大小信息。也受元素光电子发射能级等因素的影响。 纳米粒子大小变化引起的XPS特征参数的变化的理论解释尚不完全确定。主要有（1）驻留电荷模型（终态效应）和（2）表面原子效应（初态效应）。 本报告主要讨论XPS用于纳米粒子（含包覆）和纳米粒子微孔薄膜 两种重要的纳米结构材料 Core/Shell纳米粒子（量子点） 半导体量子点，如CdSe-CdS.重要的波长与大小有关的荧光材料。 纳米粒子多孔材料 Si基纳米粒子多孔材料。主要的光致荧光材料。波长受粒子大小和多孔特征调制。也是重要的电致荧光器件 Au纳米，催化时用裸Au粒子。而用于生物医学时，如分子传感器和药物载体，则需要将其表面功能化，即表面包覆一层功能薄膜。 II. XPS在纳米粒子和纳米结构中的应用: 薄膜的初始生长 问题： 金属，特别是过渡金属和贵金属在非反应性基底表面，如石墨，聚合物，氧化硅，氧化铝及其氧化钛等广泛应用的系统，如催化，集成电路等 这些金属在其基底上初始的沉积和生长均以纳米粒子或团簇的方式存在。这主要是由于这些金属与基底相对弱的相互作用所致。 主要现象： 成核，表面扩散和粗化 表面与金属的作用决定了纳米粒子的大小，生长行为 初始生长的表面研究方法: 成分和化学：AES, XPS等（原位），缺点是一般缺少大小方面的信息。 形貌和结构：TEM, SEM和LEEM等，缺点是分析电子束的加热作用可导致结果失真或引起较大的误差,而且当粒子大小很小时,很难得到大小的信息 AES and XPS峰强度比（沉积物和基底）随沉积时间得变化来判别沉积物在基底表面得生长模式（详见本页的参考文献） Cu在石墨和Dow Cyclotene 表面的初始生长 石墨和Cyclotene表面是非常惰性的，对过渡金属和贵金属是不反应的。其中石墨表面已经被广泛的用来沉积非常薄的金属，这些金属均以纳米粒子方式在其表面存在。 通过引入外来化学功能团或物理缺陷改变表面的性质我们来调整表面与纳米粒子的相互作用 keV Ar+束轰击表面引入表面缺陷（将表面电子态局域化）。表面缺陷的密度随入射离子的剂量增加而增加，一定剂量后达到平衡。 等离子体表面改性，引入化学功能团，如－CO*,－COOH, －NH, －NH2等。 3.2nm 厚的Cu在Dow Cyclotene聚合物表面的表面形貌：TEM和AFM 2.2 石墨表面缺陷密度的XPS表征 2.3 XPS 峰强度比估算的Cu薄膜沉积过程中纳米粒子大小的变化 如图所示。蒸发的不同厚度的Cu所形成的Cu纳米粒子大小随厚度的变化。其主要结论是 纳米粒子的大小与其表面的情况有极大的关系。物理缺陷和化学功能化表面有助于减小粒子的大小。其中化学功能化的作用更强。 粒子大小随沉积厚度的增加随幂指数变化。这与TEM的测试结果完全的一致。其中指数因子随纳米粒子与基底表面的作用力增加而减小。 2.4 室温下纳米粒子 Cu 在石墨（HOPG）表面的粗化动力学 粗化是纳米粒子长大和生长的基本过程。粗化主要有（1）纳米粒子整体扩散相遇而结合和重整的过程；（2）纳米粒子的生长有另外纳米粒子上的原子迁移导致纳米粒子长大。 2.5 表面缺陷对Cu纳米粒子初始的成核和粗化的影响:部分结果 Cu 纳米粒子大小对其粗化参数 ?的影响 表面缺陷对Cu纳米粒子初始的成核和粗化的影响:小结 2.6 单分散Si纳米粒子在空气中的氧化动