2013-516自旋超导态.理论所.pptVIP

类London方程： * 所以在自旋超导态，不仅仅自旋阻是零； 它还有电的Meissner效应 ！！！ 一个例子： 从类London方程可得，空间变化电场可引起自旋流 QF Sun, ZT Jiang, Y Yu, XC Xie, Phys. Rev. B 84, 214501(2011) H Liu, H Jiang, XC Xie, QF Sun, Phys. Rev. B 86, 085441(2012) 自旋流会产生电场： PRB 69, 054409(2004); PRB 72, 245305(2005) 在自旋超导体，空间变化外加电场引起自旋流，这自旋流产生电场，正好屏蔽原电场的空间变化. 在自旋超导体内部，电场的空间变化是0. 注意：电荷是单极，所以在(电荷)超导屏蔽的是磁场，但磁矩（自旋）是偶极，所以在自旋超导屏蔽的是电场空间变化量 * * * 四、自旋流Josephson效应 考虑二个弱耦合的自旋超导： 哈密顿量是： 二个自旋超导之间没有电压和自旋压，但有自旋超导位相差： QF Sun, ZT Jiang, Y Yu, XC Xie, Phys. Rev. B 84, 214501(2011) H Liu, H Jiang, XC Xie, QF Sun, Phys. Rev. B 86, 085441(2012) 计算电流和自旋流： 自旋流是： 电流是： 不管任何情况，电流是0； 但自旋流是非0，即出现自旋Josephson效应 五、自旋超导测量 1、当TTc，自旋超导能隙打开，这可以用ARPES或 STM来测量 2、测电阻： 在TTc，体系是FM金属态，电阻很小； 但当TTc，自旋超导态是不传导电荷，电阻很大。 电阻 温度 1和2很容易实现，通过它们可以初步确定进入自旋超导态 3、通过电Meissner效应，测电场变化或等效电荷。 4、通过自旋流Josephson效应， 测自旋流。 5、由于自旋超导态的自旋阻是0， 自旋流能无耗散无衰减的流过自旋超导体。 利用这特点可以证实自旋超导态。 建议一个实验：测电阻和非局域电阻 实验装置图： 自旋流产生，流过自旋超导体，然后探测 预言的测量结果： 1 2 3 4 电阻R23 TTc，金属态，电阻小； TTc，自旋超导态，电阻指数变大： R23 ~ 预言的测量结果： 1 2 3 4 非局域电阻： TTc，金属态，有自旋阻，自旋流流过FM石墨烯会衰减，非局域电阻很小； TTc，自旋超导态，自旋阻是0，自旋流能无衰减的流过FM石墨烯，非局域电阻很大。 六、自旋超导存在的实验证据 已有很多实验在强磁场下单层或双层石墨烯在Hall平台为0的位置，已展示很大的纵向电阻，并且随着温度下降电阻上升。即这体系是电绝缘的。 J.G. Gheckelsky, et.al. Phys. Rev. Lett. 100, 206801 (2008). A.J.M. Giesbers, et.al. Phys. Rev. B. 80, 201203(R) (2009). also see: Phys. Rev. Lett. 107, 016803(2011); Science 332, 328 (2011); etc. R.T. Weitz, et.al., Science 330, 812(2010); 自旋极化和谷极化： 谷极化是绝缘的； 自旋极化是有边态，能导电； 在强磁场下，Landau能级形成，自旋简并和谷简并分裂； 在双层石墨烯已通过调层间电场实现自旋极化和谷极化之间的调节。确定自旋极化存在。 在单层石墨烯通过斜磁场测量，也基本确定是自旋极化。 实验与已有理论的矛盾： 理论预言自旋极化应当是导电的； 但实验是绝缘的。 为什么？？ 我们分析体系在低温时，进入自旋超导态： 体系有电子和空穴； 电子和空穴是自旋极化的； 电子和空穴的自旋极化方向相同； 所以e和h结合成e-h对（电荷为0自旋为1），在低温时大量e-h对凝聚成超流态：自旋超导态。 QF Sun, XC Xie, submit to Phys. Rev. Lett. 计算结果：的确能进入自旋超导态，在边态上打开能隙 这很好的解说实验； 也说明自旋超导态的确存在。 * * QF Sun, XC Xie, submit to Phys. Rev. Lett. D.A. Abanin, et.al., Science 332, 328 (2011) 在另一实验：在电阻很大的区域，人们已测量非局域电阻，发现非局域电阻随着温度下降升高，这说明在这区域自旋流能很好的流过该体系。 七、 总结：