氮掺杂1120zno薄膜磁性质研究-渤海大学.pdf

物理学报 Acta Phys． Sin． Vol． 60 ，No． 9 (2011) 097504 氮掺杂(1120)ZnO 薄膜磁性质研究* 李明标 张天羡 史力斌 ( ， 12 10 13 ) 渤海大学数理学院 锦州 (20 10 10 22 ;20 10 12 7 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 采用基于密度泛函理论(DFT )和局域密度近似(LDA )的第一性原理分析了氮掺杂(1120 )ZnO 薄膜的磁性质． ， N ZnO ， N 2p ，O 2p Zn 3d ． ， 首先 研究了一个 原子掺杂 薄膜的磁性质 结果表明 和 发生自发自旋极化 其次 研究了 N ZnO ，9 N FM ， 二个 原子掺杂 薄膜的磁性质 个不同几何结构的计算结果表明 原子之间具有 耦合稳定性 而且具 N ZnO ． ， ZnO ． N 体分析了 掺杂 铁磁稳定性的产生原因 最后 讨论了氮掺杂 磁交换系数和居里温度 计算结果表明 掺杂 (1120 )ZnO 薄膜具有弱铁磁性． : ， ， 关键词 第一性原理 半导体 铁磁性 PACS :75 ． 50 ． Pa ，7 1． 55 ． Gs ，75 ． 30 ． Hx ． ， C N 2p 离子态没有不成对的自旋 其次 在 或 的 轨 d ． 1. 引 言 道比过渡金属的 轨道具有更强的非局域特征 因 ，C N ZnO 此 或 掺杂 可能具有长程铁磁耦合的特 (DMS ) ． ， C N 2p ， 稀磁半导体 由于同时具有半导体材料 点 再次 对于 或 的 轨道来说 自旋和轨道 ， ． ， C N 的传导特性和磁性材料的存储特征 在新型自旋电 之间的相互作用是弱的 尽管 目前对 或 掺杂 ， 的ZnO ． C N 子器件中具有潜在应用前