ZnO和TiO2纳米粒子的光致发光性能及其与光催化活性的关系.PDFVIP

V o l. 26 高 等 学 校 化 学 学 报 　 N o. 1　 2 0 0 5 年 1 月 　　 　　　　　CH EM ICAL JOU RNAL O F CH IN E SE UN IV ER S IT IE S　　　　　 　　 111～ 115　 ZnO 和 T iO 2 纳米粒子的光致发光性能 及其与光催化活性的关系 1, 2 1 3 1 1 2 井立强 , 辛柏福 , 王德军 , 袁福龙 , 付宏刚 , 孙家锺 1. 黑龙江大学化学化工与材料学院物理化学实验室, 哈尔滨 150080; 2. 吉林大学理论化学研究所, 理论化学与计算国家重点实验室, 长春 130023; 3. 吉林大学化学学院, 长春 130023) 摘要　采用沉淀法和溶胶凝胶法制备了ZnO 和 T iO 2 及掺 Zn2+ 的T iO 2 纳米粒子, 用XRD 和荧光光谱(F S) 等手段对样品进行了表征, 重点探讨了样品光致发光机制及与光催化活性的关系. 结果表明, ZnO 和 T iO 2 样品在大于带隙能的光激发下均表现出明显的 F S 信号, 热处理温度升高, F S 信号强度下降, 并且二者的 F S 信号类似, 这可能与二者具有类似的电子能带结构有关, 同时也说明 F S 信号主要源于表面氧空位以及 吸附氧物种等引起的激子或表面态能级. 掺杂 Zn2+ 使 T iO 2 纳米粒子 F S 信号增强, 这主要与表面氧空位和 缺陷等量增加有关; 此外, 在光催化氧化苯酚实验中, 样品光催化活性与其 F S 信号强度顺序一致, 即F S 信 号越强, 活性越高. 这是由于在光致发光过程中, F S 信号主要源于表面氧空位, 而在光催化反应中, 表面氧 空位有利于氧化反应进行. 关键词　ZnO ; T iO 2; 纳米粒子; 光致发光; 光催化 中图分类号　 643　　　　文献标识码　 　　　　文章编号　025 10790 (2005) 0 10 11105 O A 半导体光催化氧化技术具有能耗低、氧化能力强、反应条件温和以及无二次污染等特点, 其中 [ 1～ 3 ] ( ) ZnO 和 T iO 2 是比较理想的材料 . 在催化反应过程中, 颗粒表面性质非常重要. 荧光光谱 F S 是研 究半导体纳米材料电子结构和光学性能的有效方法, 能够揭示材料的表面氧空位和缺陷等结构特性和 表面态以及光生载流子的分离与复合等信息[4, 5 ] , 从而为开发和制备高性能的半导体功能材料等提供 了有力依据. 目前探讨 ZnO 和 T iO 2 等光致发光与其光催化活性关系的文献报道较少, 发光机制尚不 清楚. 一般认为, 荧光信号越