功能材料概论8(半导体材料).pptVIP

7.1 半导体材料发展概述 半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低（负电阻温度系数）。这是半导体现象的首次发现。 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。 1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。 国际上于1941年开始用多晶硅材料制成检波器，可以认为是半导体材料应用的开始。 1948~1950年用切克劳斯基法成功地拉出了锗单晶，并用它制成了世界第一个具有放大性能的锗晶体三极管(点接触三极管)。 1951年用四氯化硅还原法制出了多晶硅，第二年用直拉法成功地拉出世界上第一根硅单晶，同年制出了硅结型晶体管，从而大大推进了半导体材料的广泛应用和半导体器件的飞速发展。 20世纪60年代初，出现了硅单晶薄层外延技术，特别是硅平面工艺和平面晶体管的出现，以及相继出现的硅集成电路，对半导体材料质量提出了更高的要求。这促使硅材料在提纯，拉晶、区熔等单晶制备方法方面进一步改进和提高，开始向高纯度，高完整性、高均匀性和大直径方向发展。 与锗，硅材料发展并行， 化合物半导体材料的研制也早在50年代初就开始了。1952年人们发现ⅢA-VA族化合物是一种与锗、硅性质类似的半导体材料，其中砷化镓(GaAs)具有许多优良的半导体性质。 随后各种GaAs 器件如GaAs激光器，微波振荡器(耿氏效应器件)等几十种GaAs器件相继出现。 随着GaAs化合物半导体材料的出现，其他化合物半导体材料如ⅡA-ⅥA族化合物、三元和多元化合物等也先后制备成功。 在短短20年间，先后出现了上千种化合物半导体材料。 70年代以来，电子技术以前所未有的速度突飞猛进，尤其是微电子技术的兴起，使人类从工业社会进入信息社会。 微电子技术是电子器件与设备微型化的技术，一般来说是指半导体技术和集成电路技术。它集中反映出现代电子技术的发展特点，从而出现了大规模集成电路和超大规模集成电路。 这就对半导体材料提出了愈来愈高的要求，使半导体材料研究的主攻目标朝着高纯度，高均匀性、高完整性，大尺寸方向发展。 近年来在国际市场上，半导体材料的高效率，低能耗，低成本的生产竞争，已愈演愈烈。 与此同时，70年代以来，国际上开始大力发展非晶半导体材料的研究，以期利用无污染、廉价的太阳能来解决能源危机问题。 利用非晶硅(a-Si)材料制成了太阳能电池(Solarcell)和其他非晶硅器件：如存贮器件，传感器件、视频器件、 MOS（金属氧化物半导体 metal oxide semiconductor）晶体管等器件，都已获得可喜的进展和成果。 然而，现阶段无论是非晶半导体的理论，还是它在技术领域中的应用，都只是刚刚被开拓，有的还很不成熟，仍有许多工作尚待深入，但非晶半导体的前景是很广阔的。 此外，利用多种化学和物理气相淀积技术，可制造一系列薄膜晶体，其中分子束外延的成功使人为改变晶体结构、制造超晶格材料成为可能。 在宇航微重力条件下对晶体生长的一系列研究，为半导体材料的发展，提供了光明的前景。（神舟二号 - 太空实验室） 由于太空中几乎没有重力，在这种特殊的环境中，各种比重不同的物质可以在一起“和平共处”，几乎没有地面上的对流和沉淀等现象，可以生长出地面上得不到的结构完整、性能优良的晶体材料。 7.2 半导体材料基本概念和分类 7.2.1 半导体材料基本概念 7.2.2 半导体材料的分类 按功能和应用分为：微电子材料、光电半导体材料、热电半导体材料、微波半导体材料、敏感半导体材料等； 按组成和结构分类：元素半导体、化合物半导体、固溶体半导体、非晶态半导体、有机半导体。 1. 元素半导体 元素半导体大约有十几种处于IIIA族-VIIA族的金属与非金属的交界处，如Si、Ge、B、Se、Te以及S、P、As、Sb