哈工大自用固体物理课件研究生-第六章半导体.ppt

第六章 半导体 Semiconductor 6.0 引言 半导体载流子的有效质量 杂质半导体 热平衡载流子分布 半导体的光吸收 半导体界面特性 6.1 典型的半导体能带结构 6.1 典型的半导体能带结构 6.2 电子在外场中运动的准经典近似 6.2电子的有效质量 间接跃迁的能量和动量守恒条件可以表示为： Eg k E 间接跃迁引起光的本征吸收示意图 6.6半导体光吸收 二、直接带隙半导体的本征吸收 电子－声子相互作用参与电子跃迁过程 6.5半导体光吸收 三、半导体其它光吸收机制 Eg EA 杂质吸收 激子吸收 带间吸收 自由电子吸收 价带 导带 间接跃迁引起光的本征吸收示意图 半导体吸收光谱示意图 6.6半导体光吸收 四、半导体吸收光谱 一种光电器件的基本电路原理 6.6半导体光吸收 五、半导体的光电导 * 主要内容 学习提示 以下问题是难点，须认真学习和体会 有效质量的物理意义 半导体的化学势－费米能级 杂质对半导体费米能级及导电性的影响 半导体接触－如，p-n结 6.1 典型的半导体能带结构 金刚石立方，如：Si，Ge 闪锌矿，如：GaAs 一、典型半导体的晶体结构 Si的能带结构 K ? L X i j k 面心立方晶体第一布里渊区 面心立方晶体第一布里渊区和能带的简约图示 直接带隙半导体 二、理想半导体的能带结构 E k EC 导带底 EV 价带顶 Eg 简单图示 Eg EC EV 间接带隙半导体 E 0 k Eg 为了定性分析问题的简单性，常常将价带顶和导带底用抛物线近似 －有效质量 一、基本假定 Bloch电子可以视为动量为 的准粒子，其电量为e，费米子 2. Bloch电子在外场的作用下的运动规律可用牛顿定律描述： 二、一维情况下的有效质量 电子的有效质量是能带形状的函数 晶体中电子是不能任意被加速的 6.2电子的有效质量 电子有效质量是能带形状的函数：电子是外场和晶体场共同作用的结果 三、三维情况下的有效质量 6.2 电子在外场中运动的准经典近似 －有效质量 由牛顿定律 得到电子的有效质量为 — 这是一个二阶张量 三、三维情况下的有效质量 6.2 电子在外场中运动的准经典近似 －有效质量 以一维情况为例： 价带顶附近的有效质量量为负 导带底附近的有效质量为正 为了克服价带顶电子有效质量负值的困难，引入价带顶空穴的概念 与移动的价带顶附近电子相对应的空穴具有： 与之符号相反的有效质量 与之符号相反的电荷 －有效质量 四、空穴概念的引入 6.2电子的有效质量 －有效质量 四、空穴概念的引入 半导体中两类载流子在外电场作用下形成电流的示意图 电场方向，e e Je ve h Jh vh 导带底附近的电子 价带顶附近的空穴 6.3半导体的掺杂 对Si进行P掺杂：五价P提供的多余电子状态 束缚在P+周围形成弱的束缚态 参与价电子公有化，成为非局域化电子 如何处理这个束缚态 束缚态能级与能带之间的关系 一、施主掺杂 Si中掺P后的形成的束缚态 Si中掺P后的形成的离域态 公有化一定填充在导带底附近 束缚态能级 Si中掺P后的形成的束缚态 6.3半导体的掺杂 一、施主掺杂 计算施主能级的类氢原子模型 P+ 类氢轨道示意图 ? =?0?r 为了表达屏蔽作用，对势函数进行修正： 6.3半导体的掺杂 一、施主掺杂 束缚态能级的类氢原子处理 n=1, 2, 3,… 氢原子的位能函数为 能级为 氢原子 引入屏蔽作用，类氢原子的Hamiltonian： 束缚态能级： 电子从施主能级跃迁至导带底部留下的电离施主 施主能级和施主电离示意图 6.3半导体的掺杂 一、施主掺杂 Si中掺B后的共价键网络示意图 6.3半导体的掺杂 一、受主掺杂 利用类氢原子模型可以得到 空穴从受主能级跃迁至价带留下的电离受主 受主能级及受主电离示意图 6.3半导体的掺杂 二、受主掺杂 导带上的电子数N(T)为 一、导带上的电子浓度 6.4热平衡载流子分布 若导带底可以近似为抛物线 半导体的费米能级实际上电子的化学势－这是习惯用法 6.4热平衡载流子分布 一、导带上的电子浓度 导带上的电子浓度为 单位体积内导带上的价电子数 6.4热平衡载流子分布 二、价带上的空穴浓度 当kBTEg 单位体积内价带上的空穴浓度 6.4热平衡载流子分布 三、质量作用定律 导带上的电子浓度和价带上空穴浓度之积仅仅与禁带宽度有关 －这一规律与半导体的种类没有关系，适用于本证、施主和受主半导体 导带上的电子浓度与价带上的空穴浓度必然相等 对上面两任意一个方程求解,均可得到本征半导体费米能级与温度的关系为： 6.4热平衡载流子分布 四、本证半导体的费米能级 T=0K时，费米能级位于禁带中央