半导体物理之固体量子理论基础0305.ppt

热平衡： 一定温度下，在半导体中存在着这样的过程： 载流子的产生——价带电子（施主杂质）跃迁到导带 载流子的复合——导带电子跃迁到价带并与空穴复合 两个过程动态平衡使得半导体内有一定数量的电子和空穴，这种平衡和温度有关 在一定温度 T 下，载流子的产生过程与复合过程之间处于动态 的平衡，这种状态就叫热平衡状态。 Ec Ev 产生 复合 ED ○ ● ○ ● 状态密度函数 允许的量子态按能量如何分布（单位能量间隔内有多少量子态） 电子在允许的量子态中如何分布（在特定的能量位置，状态被占据的几率） 在能量间隔dE内的电子数为： 整个导带内的电子数： 状态密度函数 状态密度+状态分布函数?载流子密度 第三章 固体量子理论初步 * 当温度不同时，每层安排的座位数g(T)为一定值。当温度不同时，每层的人数分布为ff(T)。 则当某一日温度为T时，我们知道总人数为: 状态密度函数 计算过程 k空间量子态密度 k空间单位能量间隔内的量子态数 单位体积、单位能量间隔内的量子态数（状态密度） 第三章 固体量子理论初步 * 状态密度函数 k空间量子态密度 量子化效应导致k分立 一维晶体模型，N+1个原子组成，晶格常数为 a，晶体的长为L，起点在x处 在 x 和 x+L 处，电子的波函数分别为φ(x) 和φ(x+L) φ(x)=φ(x+L) 第三章 固体量子理论初步 * x x+L a L=a×N 状态密度函数 第三章 固体量子理论初步 * 该一维晶体k的可能取值为： 电子的一个允许能量状态的代表点 在一维空间中k状态间隔为2π/L 状态密度函数 推广到三维： 边长为L=N*a，体积为L3=V。 第三章 固体量子理论初步 * K空间中的状态分布 kx ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? kz ky 电子的一 个允许能 量状态的 代表点 每一个k状态所占据的k空间体积为： 状态密度函数 第三章 固体量子理论初步 * 单位 k 空间允许的状态数为： 单位k空间体积内所含的允许状态数等于晶体体积 V/(2?)3 －－k 空间的量子态（状态）密度 考虑自旋，k空间的电子态密度为：2V/(2?)3 任意k空间体积 中所包含的电子态数为： 状态密度函数 通过能量E和k的关系，在k空间中求出单位能量间隔内的量子态数 导带底的E-k关系： 球形等能面的半径 k 第三章 固体量子理论初步 * 状态密度函数 球所占的 k 空间的体积为： 设这个球内所包含的电子态数为Z(E)： 能量由 E 增加到 E+dE，k 空间体积增加： 第三章 固体量子理论初步 * 状态密度函数 电子态数变化dZ(E)： 因为有： 第三章 固体量子理论初步 * 状态密度函数 代入，得到： 因为有 第三章 固体量子理论初步 * 最后，这是体积V中的状态密度，除以V，得到单位体积内的状态密度函数： 状态密度函数 根据空穴的E-k关系可求得空穴的状态密度： 状态密度的特点： 状态密度同时是体积密度和能量密度 状态密度和能量和有效质量有关 实际半导体中，由于有效质量可能有方向性，因而等能面不为球面，则采用平均的有效质量来计算，称为状态密度有效质量 对于价带，可能是复合能带，为轻重空穴的状态密度之和，因而采用价带顶空穴状态密度的有效质量 第三章 固体量子理论初步 * 状态密度函数 当EVEEC时，为禁带（带隙），在此能量区间g(E)=0导带中电子的态密度分布函数gC(E)和价带中空穴的态密度分布函数gV(E)随着能量E的变化关系如右图所示，当电子的态密度有效质量与空穴的态密度有效质量相等时，二者则关于禁带中心线相对称。 第三章 固体量子理论初步 * 状态密度函数 Thanks！ * * * * * * * * * * 半导体物理之固体量子理论基础 OVT S.M. 固体量子理论基础 固体中电的传导 状态密度函数 统计力学 3.1 固体中电的传导 能带和键模型 T升高时会发生什么现象？ T=0K的半导体能带见图(a)， 这时半导体的价带是满带，而导带是空带，所以半导体不导电。 当温度升高或在其它外界因素作用下，原先空着的导带变为半 满带，而价带顶附近同时出现了一些空的量子态也成为半满 带，这时导带和价带中的电子都可以参与导电，见图(b)。 常温下半导体价带中已有不少电子