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成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响.pdf
第 卷 第 期 人 工 晶 体 学 报
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年 月 ,
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成型压力对!#$ 多晶体取向生长的影响
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赵丽丽 ,高 峰 ,赵 鸣 ,张昌松 ,李光耀 ,田长生
( 西北工业大学材料科学与工程学院,西安 ; 西北大学电子科学系,西安 )
= ((’ ’= ((*?
摘要:采用添加@A, 的4BB 方法定向生长@C4 多晶体,研究了素坯成型压力对@C4 多晶体取向生长的影响规
律。结果表明,成型压力直接影响 多晶体的取向生长速度和取向程度。随着成型压力逐渐增大, 多晶
@C4 @C4
体的取向生长速度呈先增加后减小的趋势。低于临界成型压力(在本文实验条件下,临界成型压力为*((C@D )时,
随成型压力增大, 多晶体的取向生长速度越来越快;高于临界成型压力时,随成型压力增大, 多晶体的
@C4 @C4
取向生长速度越来越慢,但是多晶体的取向程度却越来越好。
关键词: ; ;定向生长;压力;压电材料
@C4 4BB
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
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