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第 卷 第 期 人 工 晶 体 学 报 !! ! #$%!! #% ! 年 月 , ’(() * +,-./0 ,1 8.324/02 +9:; ’(() !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 成型压力对!#$ 多晶体取向生长的影响 , ’ 赵丽丽 ,高 峰 ,赵 鸣 ,张昌松 ,李光耀 ,田长生 ( 西北工业大学材料科学与工程学院,西安 ; 西北大学电子科学系,西安 ) = ((’ ’= ((*? 摘要:采用添加@A, 的4BB 方法定向生长@C4 多晶体,研究了素坯成型压力对@C4 多晶体取向生长的影响规 律。结果表明,成型压力直接影响 多晶体的取向生长速度和取向程度。随着成型压力逐渐增大, 多晶 @C4 @C4 体的取向生长速度呈先增加后减小的趋势。低于临界成型压力(在本文实验条件下,临界成型压力为*((C@D )时, 随成型压力增大, 多晶体的取向生长速度越来越快;高于临界成型压力时,随成型压力增大, 多晶体的 @C4 @C4 取向生长速度越来越慢,但是多晶体的取向程度却越来越好。 关键词: ; ;定向生长;压力;压电材料 @C4 4BB 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) 4!() / (((E?FGH ’(() (!E(!’(E() %’() * +,-./-.0 !1’2231’ *, )4’ 51-’,)’6 71*8)4 * !#$ !*09(192).02 , ’ !#$ %’( , , , , , )#$ *+,- !#$ .,- !#/) 012,-’34,- %5 )62,-’724 85#/ 012,-’31+,- ( , , ’ ,

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