氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性.PDFVIP

　第 20 卷第 9 期 半　导　体　学　报 . 20, . 9 V o l N o 　1999 年 9 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Sep. , 1999 氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性 傅竹西　林碧霞　郭常新　廖桂红 ( 中国科学技术大学物理系　合肥　230026) ( ) 摘要　用直流反应溅射方法在 Si 100 基片上生长出具有六角晶型的 ZnO 薄膜. 测量了样品的 阴极射线发光特性及其与薄膜晶体结构的关系. 在所有测量样品中均观察到较强的绿带 ( ) ( ) 520nm 发射, 随着薄膜单晶程度的提高, 光谱中开始出现蓝带 ～ 450nm , 并在类单晶薄膜中 ( ) 看到了强度大于绿带的近紫外谱带 390nm ; 它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速 增加. 根据 ZnO 中激子的结合能数据, 推测紫带发射来源于 ZnO 的激子跃迁. 实验结果说明, 通 过改进薄膜的结晶状况可进一步增强 ZnO 薄膜的短波长发光. : 7840, 7860 , 6855 PACC H 1　引言 [ 1～ 8 ] 过去几十年中, ZnO 作为一种阴极射线荧光粉被许多人广泛研究过 . 近年来场发射 [ 8 ] 显示方法的兴起, , 使 ZnO 荧光粉的研究重新得到重视 . 在薄膜材料领域, ZnO 薄膜可做 [ 9 ] [ 10 ] [ 11 ] 成表面声波谐振器 , 压电器件 和 GaN 蓝光薄膜的过渡层 , Bagnall 等人最近报道了 [ 12 ] ZnO 薄膜的光泵浦发光 . 但对 ZnO 薄膜阴极射线发光特性的研究至今还没有人报道过. ZnO 是一种自激活的半导体材料, 它具有纤锌矿结构, 禁带宽度为 32eV , 从理论上分 ( ) 析, 应该具备蓝光或紫外发射的本领; 同时, ZnO 有很高的导电 导热 性能, 并且是一种非 常稳定的氧化物, 因此, 用 ZnO 薄膜制备出短波长发光器件必然具有高的工作稳定性和较 低的价格, 有极大的应用价值. 2　实验 本实验采用的样品是用直流反应溅射方法在 Si 基片上淀积的 ZnO