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化学气相沉积(CV D)
过程: SiO2 将Si暴露在蒸汽中= 生长均匀的绝缘层…
或金属薄膜层：高真空, 单元素…
… CV D: 有毒, 腐蚀性气体流过真空阀,
T升至1000°C, 发生很多联合反应,
气体动力学, 阻塞层… 是谁的思想?
除
Mon ., Sept . 15, 20 03 1
了栅氧化层和Al层,多晶硅上的所有层都由CVD沉积
反应器
四个反应室
(类似于Si 的氧
)
控制模
件 控制T,
混合气体,
压力,
流率
Mon ., Sept . 15, 2 003 3
CVD 是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层集成电 材料的工艺:
e .g . SiH (g) Si (s) + 2H (g)
4 2
不想Si在衬底上成核 ( 匀成核),
但是可以在衬底表面成核 (异相成核) .
Mon ., Sep t . 15, 200 3 3
移走反应的
副产物
学反应: 已分解的所需
物质粘附在衬底上
高温分解: 在衬
底上热分解
更多的信息
过程
表面扩散 4
Mon ., Sep t . 15 , 2003
气体输运
J D DC
1 g
l 1 L
努森常数 NK
L
粘滞
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