Ni_（50.3）Mn_（27.3）Ga_（22.4）磁性形状记忆合金薄膜的磁性能研究.pdf

第 13卷 第 18期 2013年6月 科 学 技 术 与 工 程 VoI．13 No．18 Jun．2013 1671～ 1815(2013)18—5132—04 ScienceTechnologyandEngineering ⑥ 2013 Sci．Teeh．Engrg． 矿冶技术 Ni5o．3Mn27．3Ga22．4磁性形状记忆合金 薄膜的磁性能研究 艾瑞波 刘 超 孙 祺 牟海维 (齐齐哈尔大学理学院 ，齐齐哈尔 161006；东北石油大学电子科学学院 ，大庆 163318) 摘 要 采用磁控溅射方法制备Ni Mn ，Ga2：磁性形状记忆合金薄膜。系统研究薄膜的马氏体相变行为、磁场增强相变 应变特性以及温度对磁感生应变的影响。试验结果表明，经823K退火 1h的Ni。，Mn ，Ga 薄膜室温下处于奥氏体态，马 氏体相变开始温度为271．5K。当沿膜面方向施加0__0．8T磁场时，Ni。，Mn：，Ga 薄膜的马氏体相变应变量随磁场强度的 增大而增大，呈现出磁场增强马氏体相变应变效应。试验还发现，饱和磁感生应变显著依赖于测试温度。当测试温度低于拟 马氏体相变结束温度时，饱和磁感生应变随温度的升高先缓慢增大，在马氏体相变开始温度附近磁感生应变值发生跳跃式增 加，然后随测试温度的进一步升高而降低。 关键词 NiMnGa 形状记忆合金 薄膜 马氏体相变 中图法分类号 TG111．92； 文献标志码 A 磁驱动记忆合金是形状记忆合金家族中的新 报道。基于此，故采用磁控溅射方法制备 Ni。， Mn： Ga： 合金薄膜，考察薄膜的磁感生应变性能 成员，具有磁场驱动马氏体孪晶变体再取向或磁场 ． ， ． 诱发马氏体相变产生大可逆应变以及响应频率高 以及温度对磁感生应变的影响，并阐明其内在机制。 的突出优点，在工程领域应用前景广阔 。J。目前 1 试验 以Ni—Mn．Ga合金为代表最具应用前景，其磁感生应 变高达9．5％，但 Ni-Mn—Ga合金单晶或多晶的高脆 磁控溅射方法是 目前制备薄膜的常用方法，现 性严重限制了其应用。借鉴传统 TiNi合金薄膜材 利用沈阳科学仪器有限公司生产高真空磁控溅射 料力学性能优异且韧性好的特点，开展Ni—Mn．Ga磁 仪制备Ni—Mn．Ga薄膜，靶材直径为60mm，厚为2 驱动记忆合金薄膜的研究，将其应用于微机 电系统 mm，化学成分为Ni钾Mn。Ga (at％)。溅射沉积薄 (MEMS)领域具有巨大潜力。目前，以MEMS为背 膜前仪器腔体 内的本底压强抽真空至2．5×10 景的Ni—Mn—Ga合金薄膜 的研究在制备工艺优 Pa，溅射薄膜过程中保持氩气压强为0．4Pa，将溅射 功率设定为300W，沉积时问控制在 120min。所选 化 、马氏体相变行为及微观组织结构 等方 用的衬底为 (100)取向单晶硅，并且不加热衬底。 面已有报道。但对于Ni—Mn．Ga薄膜磁感生应变性 为使薄膜试样完全晶化，将其从单晶si衬底上剥离 能以及温度对磁感生应变影响规律的研究 尚未见 下，于退火温度为 823K下真空退火 lh，而后随炉 冷却。 2013年 3月13日收到，2013年3月 18El修改 国家 自然科学基金 资助项 目、黑龙江省新世纪优秀人才支持计 薄膜的化学成是采用 日立