铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反-无机材料学报.PDFVIP

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2017-10-06 发布于天津
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铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反-无机材料学报.PDF

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铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反-无机材料学报

第31 卷第4 期无机材料学报 Vol. 31 No. 4 2016 年4 月 Journal of Inorganic Materials Apr., 2016 文章编号: 1000-324X(2016)04-0358-07 DOI: 10.15541/ji 铜膜碘化法制备 p 型 CuI 薄膜及其用作空穴传输层的反型钙钛矿电池性能 1 2 2 2 1 1 刘畅 , 苑帅 , 张海良 , 曹丙强 , 吴莉莉 , 尹龙卫 (1. 山东大学材料科学与工程学院, 济南 250061; 2. 济南大学材料科学与工程学院, 济南250022) 摘要: γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种带隙为3.1 eV 的p 型半导体材料, 适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的铜膜碘化法制备了 CuI 薄膜, 探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响。在最优碘化时间(30 min)和碘化温度(120℃)下, 制备出了高透过率(可见光范围75%) 、导电性能好( 电阻率4.4×10-2 Ω·cm)的CuI 薄膜。利用CuI 薄膜作为空穴传输层, 组装了CuI/CH NH PbI /PCBM 反型平面钙钛矿电 3 3 3 池, 获得的最高光电转换效率为8.35%, 讨论了CuI 薄膜透明导电性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理。关键词: 碘化亚铜; 铜膜碘化法; 透明导电; 反型钙钛矿太阳能电池中图分类号: O472 文献标识码: A p-type CuI Films Grown by Iodination of Copper and Their Application As Hole Transporting Layers for Inverted Perovskite Solar Cells 1 2 2 2 1 1 LIU Chang , YUAN Shuai , ZHANG Hai-Liang , CAO Bing-Qiang , WU Li-Li , YIN Long-Wei (1. School of Material Science and Engineering, Shandong University, Jinan 260061, China; 2. School of Material Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) Abstract: γ-phase coppe