低温生长硅外延层的性能研究3.PDF

　第 19 卷第 8 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 8　 V o l N o 　1998 年 8 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug 低温生长硅外延层的性能研究 UHV CVD 叶志镇　曹　青　张　侃　陈伟华　汪　雷　李先杭　赵炳辉　李剑光　卢焕明 (浙江大学硅材料国家重点实验室　杭州　310027) 摘要　本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积( ) 系统, 在 780 ℃下进行 U HV CVD 了硅低温外延, 取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好、界面杂质分布陡峭的薄外延层. : 6150 , 7360 , 8115 PACC J F H 1　引言 近年来, 为了适应超大规模集成电路( ) 和一些高频特殊器件的需要, 发展了低温 UL S I 外延技术. 利用低温外延技术可以生长出晶体结构完整、界面过渡区杂质分布陡峭、图形不 发生漂移和畸变的外延层. 分子束外延( ) 和超高真空化学气相沉积是两种主要的低温 M BE 外延方法. 由于 成本相对较低、使用方便, 易于工业化生产, 是目前国际上低温 U HV CVD 外延所采用的主要手段之一; 在锗硅超晶格生长及硅基薄膜新材料的制备上具有良好的应 [ 1 ] - 7 用前景. 本实验室的 系统 采用了超高真空技术, 本底真空可达 10 . 这一方 U HV CVD Pa 面可以获得一个超净的生长环境, 大大减少了杂质沾污; 配合严格的清洗, 可以获得原子级 干净的衬底表面; 另外, 超高真空的环境还改善了生长室的气流, 有利于降低外延温度. 利用 系统, 我们进行了 3 ″硅片低温外延实验, 取得了良好的结果. U HV CVD 2　实验 外延衬底为 76 2 的 型 和 型 抛光片, = 4～ 5 · , 生长时间 mm N CZ Si P CZ Si cm ( ) 为 90 , 气源为 100% 无 载气 , 流量为 40 , 外延温度为 780 ℃. m in SiH 4 H 2 sccm [ 2 ] 生长前, 衬底用改进的RCA 方法清洗 , 样品放于钼托上, 送入进样室. 待进样室真空 　 国家教委“跨世纪优秀人才”基金、国家自然科学基金项目, 部分得到南京大学固体微结构国家重点实验室开放课题 资助