利用浮区法在高氧压下生长ZnO晶须.pdfVIP

VoI. 27 高 等 学 校 化 学 学报 No. 10 2 0 0 6 年10 月 CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES 1811 ~ 1814 利用浮区法在高氧压下生长ZnO 晶须 1 2 1 1 1，3 ，4 郭星原 ，于英宁 ，许大鹏 ，丁战辉 ，苏文辉 （1. 吉林大学物理学院，长春 130023 ；2 . 中国科学院长春应用化学研究所，长春 130022 ； 3. 哈尔滨工业大学凝聚态科学与技术研究中心，哈尔滨 150001；4 . 中国科学院国际材料物理中心，沈阳110015 ） 摘要 采用浮区法在高温高氧压下生长出大尺寸的ZnO 晶须. X 射线衍射和拉曼光谱分析结果表明，生长 的ZnO 晶须结晶良好，具有六方结构，沿（001）方向有明显的择优生长取向. 光致发光光谱测量结果表明， 晶须在室温下有较高的紫外光致发光效率和较低的缺陷，生长时选择大于0. 3 Mpa 的氧压对提高!UV/ !green 有 益. 关键词 ZnO ；晶须；X 射线衍射；Raman 光谱；光致发光 中图分类号 O614 ；O782 + . 9 ；O784 文献标识码 A 文章编号 0251-0790 （2006 ）10-1811-04 ZnO 在室温下具有宽禁带（3. 37 eV ）和高激子结合能（60 meV ），在紫外波段光电器件上具有广阔 的应用前景，被认为是GaN 最好的替代材料，因此研究ZnO 晶体的制备方法和提高其紫外发光强度已 成为当前的重要课题 ［1，2 ］ . 已报道的生长一维纳米结构ZnO 的方法大多是通过气-液- 固（VLS ）过程 实 现的，尽管ZnO 的熔点很高（2 268 K ），但其受热（1 173 K ）后极易升华，利用该特性可以把升华的 ZnO 沉积在不同的基底上（如Au ，Si ，AI O 等）. 通过VLS 过程已经成功地制备出纳米级针状、线状、 2 3 管状和带状样品. 但由于ZnO 与目前可用的基底晶格常数不同，生长的ZnO 晶体和基底晶格很难匹 配，导致ZnO 的晶格畸变，使ZnO 晶体产生不同的缺陷. 近年来发展的浮区法（FZ ，FIoating Zone Met1od ）是生长高熔点氧化物单晶比较好的方法之一. 用FZ 法生长单晶是经过液- 固过程实现的，为自 生长过程，可以不用基底，从而有效地避免了因与基底晶格不匹配所造成的缺陷. 本文采用浮区法，同时利用不同氧气氛（ 0. 1 Mpa ）保护，获得了较大尺寸的ZnO 透明棒状晶须. 用X 射线衍射对晶须结构进行了表征，通过Raman 光谱和光致发光光谱测试了晶须的光谱特性. 1 实验部分 1. 1 样品制备 将ZnO（99. 9% ）粉末装入到特制的小胶囊中，用玻璃棒捣实，手工整型后制成直径约10 mm ，长 3 约100 mm 的圆棒. 该圆棒在7 Mpa 静水压下定型，然后放入垂直马弗炉中，于1 500 K ，60 cm / min 氧气流下烧结2 1 ，制成直径约6 mm ，长约80 mm 的瓷白色ZnO 圆形预制棒. 最后将预制棒放入晶体 生长装置中. 生长装置为CS1 FZ-T-10000-H1-Vp 浮区单晶炉，热源是由4 个椭球