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模拟电子技术_第1章_常用半导体器件_三极管_刘广孚
Fundamental of Analog Electronic Circuit
模拟电子技术
第一章 常用半导体器件
主讲教师:刘广孚
中国石油大学(华东)信息与控制工程学院
1.4 双极型晶体三极管(BJT ) 第一章常用半导体器件
1.4.1
3
1.41.4 双极型晶体三极管(双极型晶体三极管(BJTBJT )) 第一章常用半导体器件
双极型三极管的符号;
发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
4
1.41.4 双极型晶体三极管(双极型晶体三极管(BJTBJT )) 第一章常用半导体器件
1.4.2 BJT的电流分配与放大原理
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过
载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏,集电结反偏。
1. 内部载流子的传输过程
以NPN为例
发射区:发射载流子
基区:传送和控制载流子
集电区:收集载流子
6
1.41.4 双极型晶体三极管(双极型晶体三极管(BJTBJT )) 第一章常用半导体器件
C
N
B
P E
c
IB’ N 发射结正偏,
R
进入P区的电子少部
B 发射区电子不
分与基区的空穴复 E IE 断向基区扩散,
E
B ’
合,形成电流IB , 形成发射极电
多数扩散到集电结。 流I 。
E
7
1.41.4 双极型晶体三极管(双极型晶体三极管(BJTBJT )) 第一章常用半导体器件
I =I +I I
集电结反偏,由集 C NC CBO NC
电区的少子(空穴) C
形成反向电流I 。
CBO ICBO INC N 从基区扩散来
B 的大量的基区
P E
c
的少子(电子),
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