电力电子第二章电力电子器件.pptVIP

2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心 的主电路组成一个系统。 2.1.3 电力电子器件的分类 2.2 不可控器件—电力二极管 2.2 不可控器件—电力二极管 3、造成电力二极管和普通二极管区别的一些因素： 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型 2.3 半控型器件——晶闸管 晶闸管（Thyristor）又称可控硅（SCR） 1956年美国贝尔实验室发明 其能承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高，且工作可靠，因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。 2.3 半控型器件——晶闸管 2、工作原理 晶闸管其他几种可能导通的情况： ——阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 ——阳极电压上升率du/dt过高 ——结温较高 ——光直接照射硅片，即光触发 2.3.2 晶闸管的基本特性 晶闸管的伏安特性 2. 动态特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 3. 动态参数 2.3.4 晶闸管的派生器件 3、逆导晶闸管 4、光控晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管（GTO） 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT） ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 4、GTR的主要参数 2.4.3 电力场效应晶体管（Power MOSFET） 3、电力MOSFET优点 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 1、IGBT的结构及工作原理 2、IGBT的基本特性—静态特性 3、IGBT的基本特性 —动态特性 6、IGBT的擎住效应 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■基本概念 ◆ 20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多 个器件封装在一个模块中，称为功率模块。 ◆可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 ◆对工作频率高的电路，可大大减小线路电感， 从而简化对保护和缓冲电路的要求。 ◆将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自 诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率 集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）。 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■实际应用电路 ◆高压集成电路（High Voltage IC——HVIC） ?一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片 集成。 ◆智能功率集成电路（Smart Power IC——SPIC） ?一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片 集成。 ◆智能功率模块（Intelligent Power Module——IPM） ?专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片 集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■发展现状 ◆功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之 间的绝缘问题以及温升和散热的处理。 ◆以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功 率应用场合。 ◆智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难 点,最近几年获得了迅速发展。 ◆功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为 机电一体化的理想接口。 本章小结 ■介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等问题作了全面的。 ■电力电子器件归类 本章小结 ◆按驱动类型 ?电压驱动型器件 √单极型器件和复合型器件。 √共同特点是：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。 ?电流驱动型器件 √双极型器件。 √共同特点是：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大，驱动电路也比较复杂。 ◆按控制信号的波形 ?电平控制型器件 √电压驱动型器件和部分电流驱动型器件（如GTR） ?脉冲触发型器件 √部分电流驱动型器件（如晶闸管和GTO） 本章小结 ■电力电子器件的现状和发展趋势 ◆20世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功率 （10kW以下）场合以电力MOSFET为主，中、大 功率场合