第9章 刻蚀技术【ppt】.ppt

* * 9.3 掩膜版制作 最受欢迎的光刻版制作材料是硼硅酸盐玻璃或石英，它们有良好的尺寸稳定性和曝光波长的传输性能。 * * 作业题 要将硅衬底上1 μm的氧化硅腐蚀完全，假定平均的腐蚀速率为0.4μm/min，注意氧化硅的厚度有3%的误差，试问需要多长时间才能保证所有的氧化硅被腐蚀完全？如果氧化硅对硅的刻蚀的选择比为25：1，那么有可能腐蚀掉多厚的硅衬底？ * * 本章要求 刻蚀工艺中经常出现的问题 刻蚀比的相关计算 * * * * 9.1 刻蚀概述 各向异性刻蚀（侧壁的惰性原子可以产生保护膜） Chemical and Physical Dry Etch Mechanisms Reactive +ions bombard surface Surface reactions of radicals + surface film Desorption of by-products Anisotropic etch Isotropic etch Sputtered surface material Chemical Etching Physical Etching Figure 16.12 不同材料的刻蚀方法 * * 氧化物 作用：制作接触孔和通孔 要求：刻蚀出高深宽比的缺口，并且要求下层材料的选择比 氮化硅 Oxide Etch Reactor CF4 C3F8 C4F8 CHF3 NF3 SiF4 Ar Wafer Electrostatic chuck Plasma Selection of fluorocarbon and hydrocarbon chemicals HF CF2 F CHF CH4 Figure 16.26 多晶硅 * * Polysilicon gate Gate oxide The gate length determines channel length and defines boundaries for source and drain electrodes. Drain Source Gate 步骤： 预刻蚀：用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物 主刻蚀：刻蚀多晶硅，但不损伤栅氧化层 过刻蚀：用于去除刻蚀残留物和剩余多晶硅 * * 单晶硅 主要是用于制作硅槽，如器件隔离沟槽或高密度的ＤＲＡＭ　ＩＣ中垂直电容制作（数百万个电容沟槽） 方法：加入碳对侧壁进行钝化 * * 金属 主要是金属互联线的铝合金刻蚀 * * 主要步骤： 去除自然氧化层（自然氧化的铝） 刻蚀其他材料层（如抗反射层） 主刻蚀（铝） 去除残留物的过刻蚀 去除光刻胶 * * * * 9.1 刻蚀概述 CF4 CF3+F* CF3 CF2+F* CF2 CF+F* Si+4F* SiF4 SiO2+4F* SiF4 +O2 Si3N4+4F* 3SiF4 +2N2 干法刻蚀常用的离子 1.多晶硅、氧化硅、氮化硅，采用CF4刻蚀 * * 9.1 刻蚀概述 2.铝及其合金----氯基CCl4,CHCl3 3.难熔金属－－氯基或氟基 TaSiX+nF－－TaF5+SiF4 TaSiX+nCl－－TaCl5+SiCl4 4.光刻胶－－－O2 刻蚀设备 等离子体刻蚀反应器 基本部件 发生刻蚀反应的反应腔 产生等离子体的射频单元 气体流量控制系统 去除刻蚀生成物和气体的真空系统 * * * * 等离子体刻蚀反应器 圆桶式等离子体刻蚀机 早期的离子体系统被设计成圆柱形的（如图），在0.1～1托的压力下具有几乎完全的化学各向同性刻蚀，硅片垂直、小间距地装在一个石英舟上。射频功率加在圆柱两边的电极上。 特点：没有物理轰击，主要用于晶圆的表面去胶 真空泵 Gas in RF 电极 RF 发生器 Wafers 石英舟 Wafers 反应腔 * * 平板（平面）等离子体刻蚀机 平板（平面）等离子体刻蚀机有两个大小和位置对称的平行金属板，一个硅片背面朝下放置于接地的阴极上面，RF信号加在反应器的上电极（13.56MHz）。由于等离子体电势总是高于地电势，因而是一种带能离子进行轰击的等离子体刻蚀模式。 物理和