光纤通信技术基础 陈根祥 半导体光电子器件与电光调制器003.pdfVIP

半导体光电子器件与电光调制器 第三章 半导体光电检测技术 Semiconductor Photon Detection Technology 陈根祥 北京交通大学全光网与现代通信网教育部重点实验室 2011/12/5 一、半导体光电检测的基本原理 光电导效应 PN结光电二极管 PIN光电二极管的基本结构和原理 光电导效应 1.24 =≤ λ λ [g mμ ] E [ eV] g 半导体内的电流密度由载流子在外加电场E= V/L作用下的漂移运动给出： J J J e n E e p E E + μ + μ σe n σ p μ +μ( ) n p 0 n 0 p 0 0 0 n 0 p 0 其中n 、p 和σ 分别为热平衡状态下的电子、空穴浓度和半导体材料的电导率 0 0 0 当有频率满足ħω E 的光场入射到半导体内时，将通过受激吸收产生光 g 生的非平衡载流子（电子-空穴对）δn和δp （δn =δp ）。满足速率方程： δ η δ d n P n − dt Vhω τ 其中P为入射光功率，V为半导体体积，τ为自发复合寿命，η为量子效率 光电流 在给定光功率P 的稳态情况下： τηP δn δp Vhω 半导体内的电流密度成为： J ( e n) n E ( e p) p( E μ ) +δ + μ +δ Eσ +J Δσ J +Δ e 0 h 0 0 0 (光电导）