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小尺寸Ⅳ族材料拉曼谱与晶体结构的研究-发光学报
第３８卷 第９期 发 光 学 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ９
２０１７年９月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｓｅｐｔ. ꎬ２０１７
文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０９￣１１９２￣０６
小尺寸Ⅳ族材料拉曼谱与晶体结构的研究
∗
杨学弦 ꎬ宁杨华ꎬ王小云ꎬ赵鹤平
(吉首大学物理与机电工程学院材料制备实验室ꎬ湖南 吉首 ４１６０００)
摘要:以键弛豫理论和核壳模型为基础ꎬ建立尺寸￣键参数￣拉曼谱三者统一的函数关系式ꎬ得到了不同尺寸
下的 Ⅳ族材料键长、键能和配位数ꎮ 阐明了小尺寸下的Ⅳ族材料拉曼谱发生红移是由于有效配位数缺失引
起的ꎮ 通过这一理论方法可以得到拉曼谱中含有的物理信息ꎬ极大地扩展拉曼散射技术的应用范围ꎮ
关 键 词:拉曼频移ꎻ键参数ꎻ纳米尺寸
中图分类号:Ｏ６４１ 文献标识码:Ａ ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ１１９２
Ｒａｍａｎ Ｓｐｅｃｔｒａ ａｎｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ⅣＭａｔｅｒｉａｌｓ
∗
ＹＡＮＧ Ｘｕｅ￣ｘｉａｎ ꎬＮＩＮＧ Ｙａｎｇ￣ｈｕａꎬＷＡＮＧ Ｘｉａｏ￣ｙｕｎꎬＺＨＡＯ Ｈｅ￣ｐｉｎｇ
(Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎＬａｂｏｒａｔｏｒｙꎬＳｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄＭｅｃｈａｎｉｃａｌ ＆Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＪｉｓｈｏｕ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＪｉｓｈｏｕ４１６０００ꎬＣｈｉｎａ)
∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｙａｎｇｘｕｅｘｉａｎｄ＠１６３.ｃｏｍ
Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｈｅ ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｚｅ￣ｂｏｎｄ ｐａｒａｍｅｔｅｒ￣Ｒａｍａｎ ｓｈｉｆｔ ｗａｓｆｏｒｍｕｌａｔｅｄ ｂａｓｅｄ ｏｎ
ｔｈｅ ｂｏｎｄ ｏｒｄｅｒ￣ｌｅｎｇｔｈ￣ｓｔｒｅｎｇｔｈ (ＢＯＬＳ) ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｃｏｒｅ￣ｓｈｅｌｌ ｍｏｄｅｌ. Ｔｈｅ ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ ｉｎｆｏｒｍａ￣
ｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｂｏｎｄ ｌｅｎｇｔｈꎬｂｏｎｄ ｅｎｅｒｇｙ ａｎｄ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ａｔｏｍｉｃ ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ ｎｕｍｂｅｒ (ＣＮ) ｏｆ ｔｈｅ Ⅳ
ｍａｔｅｒｉａｌｓｗａｓ ｏｂｔａｉｎｅｄ. Ｉｔ ｉｓｃｌａｒｉｆｉｅｄｔｈａｔ ｔｈｅ ｓｉｚｅ￣ｉｎｄｕｃｅｄｐｈｏｎｏｎ ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ ａｒｉｓｅｓｉｎｔｒｉｎｓｉｃａｌｌｙ ｆｒｏｍ
ｔｈｅ ｕｎｄｅｒｃｏｏｒｄｉｎａｔｅｄａｔｏｍｓ. ＤｅｖｅｌｏｐｅｄａｐｐｒｏａｃｈｅｍｐｏｗｅｒｓｔｈｅＲａｍａｎｔｅｃｈｎｉｑｕｅｉｎｄｅｒｉｖｉｎｇｑｕａｎｔｉ￣
ｔａｔｉｖｅ.
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ:Ｒａｍａｎ ｓｈｉｆｔꎻｂｏｎｄ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓꎻｎａｎｏ ｓｉｚｅ
原子数目增加ꎬ原子间距发生改变ꎬ表面原子分布
１ 引 言
发生重构ꎮ 当尺寸减少到１００ ｎｍ 以下时ꎬ材料由
元素周期表第Ⅳ族中Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及其氧化物 块体结构逐渐转变为表面结构ꎬ其拉曼声子谱发
是目前光电子工业领域的重要材料ꎬ是整个信息产 [３]
生红移ꎬ遵循以下比例关系 :
[１￣２]
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