插层化合物Ag14TiSe2电子结构的第一性原理研究.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 *) !# #%%’ !# ， ， ， 4; 2*) V 2 !# O1A19S1F #%%’ （ ） !%%%5$#N%-#%%’-*) !# -)’#)5% +H.+ TU60QH+ 0QVQH+ !#%%’ HW/? 2 TWX= 2 0A 2 插层化合物!#$% ’()* 电子结构的 第一性原理研究! ） ） ） ） ） ! # $ ! # 宋庆功 王延峰 宋庆龙 康建海 褚 勇 !）（中国民航大学理学院，天津 $%%$%% ） # ）（河北工业大学理学院，天津 $%%!$% ） $ ）（唐山师范学院数学与信息科学系，唐山 %$%%% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%%’ ( !! #%%’ ) !* 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法，选用局域密度近似对+, ./01 及./01 的几何结构进行了优化和 !-( # # 总能量计算 计算得到的晶格常量与实验结果符合较好，负的形成能表明有序 系统的稳定性 布居数、键 2 +,!-( ./01# 2 长、能带结构和态密度的计算结果显示： 以较强的离子性结合于 中 的插入使得半金属性的 +, +, ./01 2 +, ./01 !-( # # 变为金属性的+, ./01 ，导电性质得到明显改善2 !-( # 关键词： ，电子结构，插层化合物，第一性原理计算 +,!-( ./01# ： ， ， +!,, )!#*3 ’!#%4 !’*