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真空蒸发与离子溅射的比较 真空蒸发 离子溅射 原理 在真空中加热原材料，使之气化 借助辉光放电时气体离子的冲击，使阴极材料溅射出原子或分子 真空度 原材料 几乎一切材料都可蒸发 绝缘材料难以直接阴极溅射 膜厚分布 均匀分布的面积比较窄 均匀分布的面积比较宽 成膜速度 较快 较慢 膜厚控制 较难(需通过监视器控制蒸发量) 较易(只要几何尺寸、气压、电压保持恒定，重复性就好) 图形形成 掩模或光刻 光刻 成分 原材料是化合物时，有改变成分的情况 合金成分几乎不变 纯度 残余气体影响较小 放电用的溅射气体纯度有较大的影响 第四章 薄膜成膜技术 本章重点介绍了常用的薄膜材料性能；干式薄膜成膜方法；电路图形形成技术等。 常用薄膜材料 一、薄膜导体材料 导体薄膜的主要用途是形成电路图形，为半导体元件、半导体芯片、电阻、电容等电路部件提供电极及相互引线，以及金属化等。应具有以下特性： a.电导率要高； b.对电路元件不产生有害影响，为欧姆连接； c.热导率高、机械强度高； d.置于高温状态，电气特性也不发生变化； e.附着力大，成膜及形成图形容易； f.可进行选择性刻蚀； g.可进行Au丝、Al丝引线键合及焊接等加工。 1) Ag Ag具有最高的电导率； 与氧化铝陶瓷及玻璃的附着性好于Au 易形成硫化物污染膜，易形成氧化银 大电流下，易发生电迁移，抗焊锡浸蚀性差 2)Au 导电好，不易氧化，抗蚀性好，电迁移效应弱 对于任何基片没有直接的附着能力，只能用一些中间层来改善，如用铬，镍铬，钛，钨等打底。 电迁移：金属原子在电流作用下产生的定向迁移，其结果是在导线中产生 原子堆积形成的小丘或原子缺乏形成的空洞，造成电路短路或开路。 3) Cu 导电性仅次于Ag,熔点高，与氧化铝基片附着好，当各种自然条件变化时，仍保持附着性 几乎能被用于所有合金材料中，生产成本低； 抗电迁移性能最好 4) Al 迄今为止，Al在薄膜导体中应用最普遍 对基片，介质，半导体表面附着良好 熔化温度低(659.7摄氏度)，能用相对较低的工艺温度沉积 键合性良好 电迁移效应严重 实际上，采用单一导体很难满足所有要求，构成电子电路往 往需要多种导体膜的组合。 5) Cr-Au Cr-Au与玻璃间具有良好的附着性，无论对P型还是N型Si均能形成欧姆接触，因此也常用作Si IC工艺中Al导线的替代； 其成膜方法有两种，一是将基板加热到250摄氏度，依次真空蒸镀Cr和Au,二是采用溅射法沉积。 Cr-Au可能引起的可靠性问题是Cr向Au中扩散，由此会引起电阻增加。 6) NiCr-Au 薄膜导体中应用最广泛的是NiCr-Au,其构成是先蒸镀0.1微米的NiCr合金膜，再蒸镀0.1微米的Au 这种膜层在200~400摄氏度的干燥氮气中放置24小时，阻值会有明显增加 7) Ti-Au 以Ti为底层的Ti-Au，对于所有种类的基板都显示出相当高的附着力。 在250~350摄氏度的温度下就形成化合物，使Ti膜特性变差，造成阻值增加，因此，常在Au与Ti之间加入Pt阻挡层。 二、常用薄膜电阻材料 薄膜电阻用原材料的电阻率多分布在 范围内，通常由此做成方阻值为 的薄膜方电 阻。 以下的低方阻值电阻需求不多，为了获得高方阻值 的薄膜电阻，或增加电阻膜长度，或减少电阻膜厚度。电阻 体薄膜实际使用的TCR应在 以下，且电性能稳定。 1) Ni-Cr 迄今为止用作电阻最好的材料。不论在氧化铝陶瓷还是玻璃基片上，都非常稳定。也不会发生调阻后的阻值漂移； 真空蒸发中，Ni与Cr蒸发压力之间存在相当大差异，因为Cr的高蒸发压力，其占据的组分随沉积时间增长而变大。故常采用溅射技术沉积。 2) TaN 采用溅射方法，在干燥的氮气环境下进行； 电阻值范围宽，可达 ； 工作条件下具有长期的稳定性。 三、常用薄膜介质材料 Ta材料用于电容器材料已有几十年历史，其特点是容量大，稳定性高；溅射Ta膜经阳极氧化形成TaO,且整个电路的电阻器和电容器和引线都钽膜化，制造工艺简单，提高了可靠性，降低了成本。 薄膜成膜方法 相对于厚膜，薄膜成膜方法很多，分类方法也不一样。一种是按干式和湿式分类。在干式中，有以真空蒸镀、溅射蒸镀、离子镀为代表的物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)等；湿式中有电镀、化学镀、阳极氧化等。 1) 真空蒸发(镀)及溅射法 真空蒸发是将镀料在真空中加热、蒸发，使蒸气原子团在温度较低的基板上析出形成薄膜。这种方法主要用于Au,Cu,Ni,Cr等导体材料及电阻材料的成膜。 溅射镀是将放电气体导入