硅抛光片表面颗粒测试方法编制说明-中国有色金属标准质量.docVIP

国家标准《硅）Haze(雾)。 因此现在的SSIS已经可以探测镜面晶片上几乎所有类型的缺陷。随着硅片抛光和外延工艺的不断进步，晶片表面其他大面积缺陷，像划伤、桔皮、波纹、棱锥、堆垛层错等等数量上也越来越少了。更多的还是颗粒或者COP。习惯上我们所有这些表面缺陷粗略的统称为颗粒。在标准名称上我们也沿用了这一习惯。 由于本方法本身是相对测量，且晶片表面的外来的凸起颗粒、晶体缺陷或加工中带来的凹坑、划痕等等各种缺陷都会带来入射光的散射、反射；而不同厂家、不同型号或不同级别的检测设备在设计、结构、信号处理等各个方面的差异都可能反映在检测结果上。因此如何保证测量的重复性、保证测量结果的相对准确性以及各个厂家、不同类型的颗粒仪进行比对变成了当前迫切需要解决的问题。现行标准已有十年的标龄，检测设备的不断发展改进，也使得测试方法中的部分适用范围、干扰因素、参考样品、校准方法、测量步骤及重复性、准确性等都需要修订。因此迫切需要修订原标准，使之保持先进性，对实践起到指导作用。 关于抛光片表面颗粒的测试，在SEMI 标准中没有同样的标准可以直接参照。SEMI是将表面缺陷测试分为四块工 SEMI M35 《自动检测硅片表面特征的发展规范指南》。主要对颗粒、COP 、划伤、外延缺陷包括堆垛层错等缺陷的测试原理、鉴别特征做了定义和描述，并对各种缺陷的鉴别以及对测量的影响因素进行了讨论。 SEMI M53 《采用在无图形的半导体晶片表面沉积已认证的单个分散聚苯乙烯乳胶球的方法校准扫描表面检查系统的规程》。针对SSIS的校准过程以及使用的校准样片进行了定义和规定。 SEMI M50 《用于扫描表面检查系统俘获率和虚假计数率的测定方法》。对测试系统由于重复计数和漏掉的计数带来的对晶片表面真实缺陷的测量的准确性进行了量化和评价。 SEMI M52 《关于130nm-11nm线宽工艺用硅片的扫描表面检查系统指南》：主要针对大规模集成电路不同线宽技术用片的颗粒测量，从设备、材料、晶片到设置等方面给予指导。 另外还有一个技术文件以及一些通用标准的支持。 该标准标龄已超过十年，原标准制定时我们征求了当时两个主要设备生产商KLA-TENCOR和ADE的意见，在审定时他们分别派人到会，给了我们非常有力的技术支持。十年来，本标准涉及的SSIS设备有了很大的发展和改进，涉及的SEMI标准也有很大改变，我们结合对这四个标准SEMI标准的理解，站在使用者的角度，在原标准的基础上总结归纳，提出了该标准的修订意见。 2.任务来源 根据国标委综合[]52号文件《关于下达201年第批国家标准修制定计划的通知》，由有研半导体材料有限公司主要负责的国家标准《》的制定工作。 —1114、SEMI M50—1115、SEMI M52—0214、SEMI M53—0310充分理解的基础上，结合多年来国内外用户对硅片表面颗粒的要求和测试实践，修改了本标准。 5.标准主要起草人及起草工作 孙燕 高工 标准的修改、审核，组织标准起草的各方面工作 冯泉林 高工 协助标准的起草和翻译 陈信 高工 协助标准的起草，提供设备的维护、校准情况 潘紫龙 高工 协助标准的修订，设备的比对 徐新华 高工 协助标准的修订，设备的比对 张海英 高工 协助标准的修订，设备的比对 骆红 高工 协助标准的修订，设备的比对 标准编制原则和确定标准主要内容的论据 编制原则 1）查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求； 2）按照GB/T 1.1和有色加工产品标准和国家标准编写示例的要求进行格式和结构编写。 3）参照SEMI M35 《自动检测硅片表面特征的发展规范指南》、SEMI M53 《采用在无图形的半导体晶片表面沉积已认证的单个分散聚苯乙烯乳胶球的方法校准扫描表面检查系统的规程》、SEMI M50 《用于扫描表面检查系统俘获率和虚假计数率的测定方法》、SEMI M52 《关于130nm-11nm线宽工艺用硅片的扫描表面检查系统指南》的内容。 标准水平分析 《》本标准建议为国际水平。 《》 重大分歧意见的处理经过和依据。 无 标准作为强制性标准或推荐性标准的建议 建议本标准作为推荐性国家标准发布实施。 代替或废止现行有关标准的建议 本标准颁布后，代替原标准GB/T19921-2005。 其他需要说明的事项 本标准为修订标准，该标准的主要目的是规范晶片表面颗粒等缺陷的测试条件，便于供需双方对产品要求的判定，有利于不同设备间的比对。 本标准在名称上叫硅片表面颗粒检测标准，但在标准里适用范围为无图形的镜面晶片，即不仅仅