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集成中心光刻工艺技术
集成中心光刻工艺技术
中国科学院半导体所集成技术工程中心
陈燕凌 2008年12月
Email：yanling@semi.ac.cn
目录
光刻工艺简介
光刻设备简介
不同种类光刻胶工艺结果
光刻的基本过程
光刻工艺的质量要求
光刻中的常见问题
光刻工艺的特点：
内容繁琐，操作性强
光刻工艺简介
光刻工艺是指将掩膜图形转移到衬底表面光刻胶上的技术，是半导
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体工艺里用得最频繁，最关键的技术之一.
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根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式，根据光刻面数的不
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同有单面对准光刻和双面对准光刻，根据光刻胶类型不同，有
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薄胶光刻和厚胶光刻，等. 目前提供单面接触式对准光刻、双
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面对准光刻服务。
面对准光刻服务。
光刻设备简介
匀胶机 spinner
热板或烘箱 Hot Plate or Oven
光刻机 Aligner
去胶机 Plasma Asher and stripper
做好光刻工艺的关键：
耐心，细致，作好笔记，勤分析
匀胶机Spinner和Hot plate
•仪器名称：匀胶机
匀胶机盖板 控制面板
•制 造 厂：德国Karl Suss
型号规格：Delta80T2
HP盖板 主要技术指标：
·Gyrset 5”, max. 4,000rpm
·Gyrset 3”,max. 5,000rpm
应用范围：·匀胶
使用步骤：
放片 吸片N2吹净 滴胶
擦净片台 取片 旋转
Aligner: Karl Suss MA6/BA6
德国Karl Suss 公司MA6/BA6双面光刻机
主要技术指标：
基片双面对准(包括键合预对准) ；
基片尺寸：10 ′10mm2~F100mm及非标准尺
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