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2017-10-28 发布于北京
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纳米器件与技术 Nanoelectronic DeviceTechnology 45 nm工艺与关键技术翁寿松 (无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001) 摘要：介绍了45qun芯片所采用的关键工艺技术：193nlnArF干法／浸没式光刻技术、低k电介 StLAM芯片与6511m 质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔4511111垒功能153MB 芯片相比．晶体管密度提高了2倍，晶体管开关速度提高20％vX上，晶体管漏电流降低到65nm 芯片的1／5．存储单元面积为0．346肛m2。指出英特尔45m芯片MPU将在2007年下半年实现量产。并且继英特尔之后，TI、ⅢM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45tllTl 芯片．说明45nill芯片技术正在日益走向成熟。关键词：45nm工艺；193ntnArF光刻技术；低k电介质技术；高k电介质技术；应变硅技术文献标识码：A 中图分类号：TN405 文章编号：167l—4776(2007)09—08634)5 45nln andCrucial Technology Technique WENG Shou-song Luo死Electronic (Wu．6 Co．+LTD，Wu,xi214001，Chin) of 45 as193mArF crucial the ilia Abstrict：11letechniques chiptechnology，such dry／immer- sion and kdielectric silicon andSOon，are high techniques，shmnedtechnique lithography，low wlththe65nra Intel45amfullfunotion153MBSRAM intruduced．Comparedchip，the chip tothree the扛ansistor over raisesthetransistor times，increa∞s 20％， density switchingspeedby ofthememo- decreasesthe虹ansistorcurrenta factorof has0．346 area leakage by five，and Izm2 are in half wcdl．TheIntel45llⅡlMPU thesecondof2007．TI。IBM，Char-