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纳米器件与技术
Nanoelectronic
DeviceTechnology
45
nm工艺与关键技术
翁寿松
(无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001)
摘要:介绍了45qun芯片所采用的关键工艺技术:193nlnArF干法/浸没式光刻技术、低k电介
StLAM芯片与6511m
质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔4511111垒功能153MB
芯片相比.晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%vX上,晶体管漏电流降低到65nm
芯片的1/5.存储单元面积为0.346肛m2。指出英特尔45m芯片MPU将在2007年下半年实现
量产。并且继英特尔之后,TI、ⅢM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45tllTl
芯片.说明45nill芯片技术正在日益走向成熟。
关键词:45nm工艺;193ntnArF光刻技术;低k电介质技术;高k电介质技术;应变硅技术
文献标识码:A
中图分类号:TN405 文章编号:167l—4776(2007)09—08634)5
45nln andCrucial
Technology Technique
WENG
Shou-song
Luo死Electronic
(Wu.6 Co.+LTD,Wu,xi214001,Chin)
of 45 as193mArF
crucial the ilia
Abstrict:11letechniques chiptechnology,such dry/immer-
sion and kdielectric silicon andSOon,are
high techniques,shmnedtechnique
lithography,low
wlththe65nra Intel45amfullfunotion153MBSRAM
intruduced.Comparedchip,the chip
tothree the扛ansistor over
raisesthetransistor times,increa∞s 20%,
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ofthememo-
decreasesthe虹ansistorcurrenta factorof has0.346 area
leakage by five,and Izm2
are in half
wcdl.TheIntel45llⅡlMPU thesecondof2007.TI。IBM,Char-
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