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纳米器件与技术
Nanoelectronic
DeviceTechnology
45
nm工艺与关键技术
翁寿松
(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)
摘要：介绍了45qun芯片所采用的关键工艺技术：193nlnArF干法／浸没式光刻技术、低k电介
StLAM芯片与6511m
质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔4511111垒功能153MB
芯片相比．晶体管密度提高了2倍，晶体管开关速度提高20％vX上，晶体管漏电流降低到65nm
芯片的1／5．存储单元面积为0．346肛m2。指出英特尔45m芯片MPU将在2007年下半年实现
量产。并且继英特尔之后，TI、ⅢM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45tllTl
芯片．说明45nill芯片技术正在日益走向成熟。
关键词：45nm工艺；193ntnArF光刻技术；低k电介质技术；高k电介质技术；应变硅技术
文献标识码：A
中图分类号：TN405 文章编号：167l—4776(2007)09—08634)5
45nln andCrucial
Technology Technique
WENG
Shou-song
Luo死Electronic
(Wu．6 Co．+LTD，Wu,xi214001，Chin)
of 45 as193mArF
crucial the ilia
Abstrict：11letechniques chiptechnology，such dry／immer-
sion and kdielectric silicon andSOon，are
high techniques，shmnedtechnique
lithography，low
wlththe65nra Intel45amfullfunotion153MBSRAM
intruduced．Comparedchip，the chip
tothree the扛ansistor over
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ofthememo-
decreasesthe虹ansistorcurrenta factorof has0．346 area
leakage by five，and Izm2
are in half
wcdl．TheIntel45llⅡlMPU thesecondof2007．TI。IBM，Char-
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