45 nm工艺与关键技术.pdfVIP

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纳米器件与技术 Nanoelectronic DeviceTechnology 45 nm工艺与关键技术 翁寿松 (无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001) 摘要:介绍了45qun芯片所采用的关键工艺技术:193nlnArF干法/浸没式光刻技术、低k电介 StLAM芯片与6511m 质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔4511111垒功能153MB 芯片相比.晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%vX上,晶体管漏电流降低到65nm 芯片的1/5.存储单元面积为0.346肛m2。指出英特尔45m芯片MPU将在2007年下半年实现 量产。并且继英特尔之后,TI、ⅢM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45tllTl 芯片.说明45nill芯片技术正在日益走向成熟。 关键词:45nm工艺;193ntnArF光刻技术;低k电介质技术;高k电介质技术;应变硅技术 文献标识码:A 中图分类号:TN405 文章编号:167l—4776(2007)09—08634)5 45nln andCrucial Technology Technique WENG Shou-song Luo死Electronic (Wu.6 Co.+LTD,Wu,xi214001,Chin) of 45 as193mArF crucial the ilia Abstrict:11letechniques chiptechnology,such dry/immer- sion and kdielectric silicon andSOon,are high techniques,shmnedtechnique lithography,low wlththe65nra Intel45amfullfunotion153MBSRAM intruduced.Comparedchip,the chip tothree the扛ansistor over raisesthetransistor times,increa∞s 20%, density switchingspeedby ofthememo- decreasesthe虹ansistorcurrenta factorof has0.346 area leakage by five,and Izm2 are in half wcdl.TheIntel45llⅡlMPU thesecondof2007.TI。IBM,Char-

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