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第56卷第6期2007年6月 物 理学报
1000．，329012007／56(06)13350．．05 ACTAPHYSICASINICA ⑥2007
Chin．Phys．Soc．
用卢瑟福背散射／沟道技术及高分辨X射线衍射技术
王 欢1’ 姚淑德1’’ 潘尧波2’ 张国义2’
1)(北京大学物理学院技术物理系，北京100871)
2)(北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室，北京100871)
(2006年7月12日收到；2006年11月13日收到修改稿)
利用卢瑟福背散射／沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(2扯m)
的一系列不同Al和In含量的AIlnGaN薄膜进行组分及结晶品质的测量；并结合高分辨x射线衍射技术，通过对
定理，对这～现象给出了理论的解释．
关键词：AIlnGaN，高分辨x射线衍射，卢瑟福背散射／沟道，弹性应变
PACe：6110M，0785，6855，7280E
1．引 言 2．实 验
近年来，Ⅲ族氮化物(GaN，A1N，InN)的四元合本文讨论的样品是采用MOCVD方法，在蓝宝
金AIlnGaN引起了人们的极大关注．AIlnGaN像其他
Ⅲ族氮化物一样属于直接跃迁型的宽带系材料，其 下生长100
发光效率高，禁带宽度可以在0．7—6．2eV之间连续
调节，且能量覆盖了从可见光到紫外波段；更重要的
是它可以有效地调节与GaN的晶格匹配并且很有
希望应用予紫外发光器件¨’2。．目前，关于四元合金
址和In的比例．
AIlnGaN的外延生长以及光学，电学性能的研究已
经比较成熟¨叫o，但是对其结构上的分析却鲜有报
学物理系的2X1．7MV的串列加速器上进行．实验
导，例如AIlnGaN外延层中A1和In的组分对其应变
条件如下：入射He+离子的能量为1．57MeV，经过准
的影响等等．本文所用的一系列样品是用金属有机
mmx
直，束流垂直于靶入射，束斑面积约为1．1
化学气相沉积技术(MOCVD)在A1：O，(0001)衬底上
1．1mm。Au—si面垒探测器位于与入射离子束成
生长的有GaN缓冲层的AIInGaN六方晶体．结合卢
瑟福背散射／沟道(RBS／channeling)技术及高分辨x
子，能量分辨率为15keV．样品固定在可以三维转
射线衍射(HRXRD)技术，我们对样品的结构和弹性
动的靶架上，转动精度为0．01。．用作能量刻度的标
应变进行了详细的分析研究．
样为在硅衬底上厚度为450nm的Au—Fe—SiO，薄膜．
*国家自然科学基金(批准号10575007)和中国比利时科技合作项目(批准号：BIL04／05)资助的课题
t通讯联系人．E—mail：sdyao@pku．edu．CII
万方数据
王 3351
6期 欢等：用卢瑟福背散射，沟道技术及高分辨x射线衍射技术分析不同A1和h含量的AIInGaN薄膜的应变
度和晶体的结晶品质的有效工具，并且对样品是无
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