用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究.pdfVIP

用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究。 黄锐1，林璇英1’2，余云鹏2，林揆训2 (1．韩山师范学院物理系，广东潮州521041；2．汕头大学物理系，广东汕头515063) 摘 要： 以SiCI．和H：为气源，用等离子体增强化距为2cm，样品沉积在玻璃衬底和硅片上，反应室压强 学气相沉积技术，在300℃的低温下，研究不同的氢流 量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现，氢对 薄膜生长特性的影响有异于SiH。／H2，在一定功率下， 薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加；而薄膜的生长 LabRam 速率也强烈依赖于氢流量，随氢流量的减小而增大，与 I型共焦显微拉曼光谱仪，激发光为632．8 氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致。通过调控氢流 量，在低氢流量条件下获得了生长速率高达O．35nm／ S，晶化度高达76％的晶化硅薄膜。 究薄膜的表面形貌，用能量散射谱(EDS)研究膜的组 关键词： 纳米晶硅薄膜；SiCI。；生长速率；晶化度 分。 中图分类号：0484．1；0484．4文献标识码：A 3结果分析 文章编号：1001-9731(2009)03-0483-03 3．1氨流量对薄膜生长速率的影响 1 引 言 自1976年美国RCA实验室制成了世界上第一个 非晶硅太阳电池以来，硅基薄膜太阳电池便备受广泛 关注，近20年来更是获得了长足进展。为提高硅基薄 积速率随H。流量的变化关系。 膜太阳电池的效率，研究人员探索了多种途径，包括改 进硅薄膜材料的制备技术和器件结构的设计等n~3]。 在硅基薄膜电池材料的制备研究中。纳米晶硅薄膜由 于具有比非晶硅更高的掺杂效率、载流子迁移率和光 照稳定性而备受青睐。 目前，制备纳米晶硅薄膜的方法有很多，其中高氢 稀释是低温下制备纳米晶硅薄膜最常用的技术方法。 一般来说，对于由SiH。和H。组成的源气体，当氢稀 氢流量Iml·min‘1 释度较低时，只能生长非晶硅薄膜。只有当氢稀释度 图l 沉积速率随H。流量的变化关系 1 rateversus flowrate 较高时，即高氢稀释下，薄膜才会发生相变，由非晶态 FigDeposition hydrogen 转化为具有晶相结构的纳米晶硅薄膜[4]。在实验室的 由图1可看到，对一定的SiCh流量、功率和温度， 在无氢的环境下，无法沉积到薄膜。一旦加入氢，薄膜 前期研究工作中，我们以SiCl。和Hz作为反应源气 体，利用通常的PECVD技术，在低温下制备出优质的的沉积速率立刻得到提高，且随H：流量的增加而增 晶化硅薄膜[5矗]。以SiCI。和H。作为反应源气体，研 究氢流量对薄膜生长特性的影响，实验表明氢流量对 量的进一步增大，沉积速率缓慢减小。我们认为这与 SiCl．分子在等离子体中的滞留平均时间t及氢的刻 薄膜生长特性的影响行为有异于Sill。+H。，在较低的 蚀作用有关。滞留平均时间t与总流量的关系为[7]： 氢流量下便能获得生长速率高达0．35nm／s，晶化度达 76％的优质纳米晶硅薄膜。 t一器 2实验方法 其中y为等离子的体积，P为工作气压，P0为进 气压力，F为气体总流量。 以SiCIt和H2作为反应源气体，所用PECVD制