用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT).pdfVIP

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2017-10-28 发布于北京
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用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT).pdf

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第22卷第3—4期实验力学 V01．22No．3—4 2007年8月 JOURNALOFEXPERIMENTALMBCHANICS Aug．z007 立章编号：1001—4888(2007)0304—0295—10 InVerse Lithography I．0rAdvanced Semiconductor Abrams Liu，Dan LinyongPang，Yong (Imm抽e鸵ent Ea8t Road．Suite 94303，USA TKhnoLog”s，Inc．，247lBayshore 600，CA 433—1025 Phone：+1—650FAX：+l一650一960一3954E—rmiI：leo@luTIline8cent．㈣) Abstract：Inthis thefirstILT thatcan s01veforthe paper，we rapidly optimal present approach andthatissuitableforuseina environment．Wewilldiscussthe photomask design production 1atest ofILTat theareasofsub—resolution developmentLuminescent，in particular，in assi鲈 windowILT，andmaskrule feature(SRAF)generation，process collected anRD andfromcustomersdemonstratethatILTisno tool， internally longerjust butisinfact for atadvanced nodes． readyproductionqualification techn0109yByoptimizing each maskcostsat elementofthe can windowswhile process，ILTimproveprocess maintaining areasonablelevel． Correction Keywords：lithography}InverseTechn0109y(ILT)}OpticalProximity Lithography ResolutionEnhancement Su