二极管和三极管-2017年10月.pptVIP

半导体二极管及基本电路 本征半导体、空穴及其导电作用 N型半导体和 P 型半导体 N型半导体和 P 型半导体 电子空穴对 动画1-1 动画1-2 杂质半导体 P型半导体（空穴型半导体） PN结的形成 PN结的形成 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） PN结的单向导电性 PN结的电流方程与伏安特性 PN结的电容效应(自学) 势垒电容C b: 扩散电容C d : 结电容:势垒电容和扩散电容之和 半导体二极管 半导体二极管 基本结构 伏安特性 半导体二极管的伏安特性曲线 (1) 正向特性 半导体二极管的参数 二极管基本电路分析 3. 折线模型（实际模型） 例： 开关电路-----与门 稳压管的稳压过程 半导体三极管 三极管结构及类型 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 主要参数 1. 电流放大系数，? (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF 在室温，规定的反向电压下，最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 二极管连续工作时，允许流过的最大整流电流的平均值。 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 二极管基本电路分析 二极管模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 当iD≥1mA时， vD=0.7V。 1. 理想模型 2. 恒压降模型 4. 小信号模型 R 二极管的开关作用 二极管的开关特性 导通 截止 相当于 开关断开 相当于 开关闭合 S 3V 0V S R R D 3V 0V 利用二极管的单向导电性可作为电子开关 vI1 vI2 二极管工作状态 D1 D2 v0 0V 0V 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0V 0V 0V 5V 求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。 解： ---------与门电路 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管 的伏安特性曲线完全一样。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻起限流作用，保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 稳压管参数(自学) IR IZ Io RL Io IR VR IZ IR Vo Vo VZ VR 三极管结构及类型 电流分配及放大原理 特性曲线 主要参数 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N