电工电子第12章半导体二极管和三极管new.pptVIP

半导体三极管图片 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区： 掺杂浓度最低并且很薄 集电区： 掺杂浓度较低 发射区： 掺杂浓度最高 2.三极管的电流分配关系和放大作用 ⑴晶体管的电流放大的条件 ①内部条件 三个区掺杂浓度不同，厚薄不同。 ②外部条件 发射结加上正向电压，集电结加上反向电压 N N P B E C + + － － B E C T + + － － UBE UBC 即：NPN型 或 P P N B E C － － + + B E C T － － + + UBE UBC PNP型为： 或 ⑵ 晶体管的电流分配关系 mA ?A mA IE T RB IB EC EB IC RC + － － + 共发射极放大实验电路 IB (μA) 0 20 40 60 80 100 IC (mA) 0.005 0.99 2.08 3.17 4.26 5.40 IE (mA) 0.005 1.01 2.12 3.23 4.34 5.50 晶体管电流测试数据 * * * * 目录 电工电子技术 文天学院电气系 第 12 章 半导体二极管和三极管 第12章 半导体二极管和三极管 12.1 半导体的基本知识 12.3 稳压二极管 12.4 半导体三极管 12.2 半导体二极管 第12章 半导体二极管和三极管 1. 理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用； 2. 了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 3. 会分析含有二极管的电路。 本章要求： 12.1 PN结和二极管 引言：半导体的基本知识 1. 概念 ⑴半导体— 导电能力介乎于导体和绝缘体之间。 如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 ⑵影响半导体导电能力的因素 光照↑→导电能力↑　如：光敏元件 温度↑→导电能力↑ 如：热敏元件 掺杂——纯净的半导体中掺入微量的某些杂质， 会使半导体的导电能力明显改变。 掺杂↑→导电能力 如：P型、N型半导体。 ⑶ 常用的半导体材料 锗 Ge 硅 Si 硅和锗为四价元素，最外层有四个价电子 32 14 2-8-18-4 2-8-4 12.1.1本征半导体 纯净的、具有晶体结构的半导体 si si si si 最外层八个电子的稳定结构 共价键内的 价电子对 ⑴共价键 共价键结构稳定 导电能力很弱 Si Ge 价电子 ⑵ 本征激发（热激发） si si si si 空穴 自由电子 自由电子 本征激发成对产生 空穴 ⑶ 两种载流子 半导体中有自由电子 和空穴两种载流子 本征半导体两端外加电压时，将出现两部分电流，电子流和空穴流。 ⑷ 复合 复合使自由电子和空穴成对减少 在一定温度下，热激发和复合处于动平衡状态。 半导体中的载流子数目一定。 温度升高、光照增强使价电子 摆脱原子核的束缚 自由电子与空穴相遇 多余电子 12.1.2杂质半导体 ⑴ N型半导体（电子半导体） 本征半导体中掺入微量的五价元素磷 特点： 多数载流子——自由电子 少数载流子——空穴 N 型半导体 + + + + + + + + 示意图 P+ si si si 硅晶体中掺磷出现自由电子 磷 P 15 2-8-5 p P型半导体 － － － － － － － － 示意图 空穴 ⑵ P型半导体（空穴半导体） 特点： 多数载流子——空穴 少数载流子——自由电子 本征半导体中掺入微量的三价元素硼 B- si si si 硅晶体中掺硼出现空穴 多数载流子数目由掺杂浓度确定 少数载流子数目与温度有关. 温度↑→少子↑ 结论： 5 2-3 硼 B B 12.1.3 PN结 同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，在它们的交界面处形成的特殊区域。 引言. PN结 1. PN结的形成 P N PN结 P区和N区的载 流子浓度不同 由载流子的浓度差→多子扩散 － － － － － － － － P + + + + + + + + N N区 P区 P区 N区 电子 空穴 正负离子显电性→建立空间电荷区→形成内电场 － － － － － － － － P + + + + + + + + N + - 自建电场 →内电场 反对多子扩散 有利少子漂移 扩散 = 漂移 动平衡 →空间电荷区宽度确定→PN结形成 PN结——空间电荷区 PN结也称为高阻区、耗尽层 － － P + + N PN结 + - 自建电场 2.PN结的单向导电性 ⑴ PN结正向导通 现象： 灯亮、 电流大（mA级） 原因：