光刻工艺中曝光技术比较.pdf

综述 现代制造工程2008年第12期 光刻工艺中的曝光技术比较 王宏睿1，祝金国2 摘要：介绍目前比较前沿的光学曝光、电子束曝光、离子束曝光、x射线曝光和极紫外曝光等曝光方法。并对这些光刻曝 光技术进行相应的比较。 关键词：光刻；曝光技术；区别 中图分类号：TN383文献标识码：B文章编号：167l-3133(2008)12卅131—05 Thediscussof in exposuretechnology lithographyprocess WangHong—ruil，ZhuJin-gu02 SchoolofMechanical Instituteof 1 (1 Engineering，NanjingTechnology，Nanjing，21167，CHN； 2 SAMSUNG Electronics QuMi哆Group，Suzhou Co．，Ltd，Suzhou215021，Jiangsu，CHN) is to an for of onits becomeadvanced the Abstract：Exposuretechnologypresentlyway development impulse lithography．The mentionedthe andENVL between diffemnces aredis— opticslithography，FIB，XRLere．Furthermore．the exposuretechnologies cussed． Keywords：Lithography；Exposuretechnology；Differences 目前，在超大规模集成电路的芯片中，已经从20 片上；反之，负性光刻是把掩膜上相反的图形复制到 世纪60年代的每个芯片上仅几十个器件，发展到现在 硅片表面。它们的曝光过程如图1所示。 的每个芯片上可包含10亿个器件，其增长过程遵从摩 无论哪种光刻类型，光刻技术的工艺流程一般都 尔定律，即集成度每3年提高4倍。集成电路之所以 分为硅片预处理、涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、刻蚀 能飞速发展，与由光刻技术直接决定单个器件的物理 和去胶，如图2所 尺寸的减小密切相关。 示。光刻工艺流 未羔汇}=士—!必掩膜版 程是一个较为复 1光刻(Lithography)的含义 皂3 1兰I垂II习瓣杂的过程。各工 光刻加工是对薄膜表面及金属进行精密、微小和 艺环节互相影响， 复杂图形加工的技术，用它制造的零件有：刻线尺、微