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抗辐射晶体管3DK9DRH贮存失效研究 　　摘要： 为了找到并纠正抗辐射晶体管3DK9DRH贮存失效的原因，利用外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查等试验完成了对晶体管3DK9DRH的一种贮存失效分析。结果表明晶体管存在工艺问题，内部未进行水汽控制，加上内部硫元素过高，长期贮存后内部发生了氧化腐蚀反应，从而导致晶体管功能失效。对此建议厂家对晶体管的生产工艺进行检查，对水汽和污染物如硫元素等加以控制，及时剔除有缺陷的晶体管。 关键词： 失效分析； 失效机理； 晶体管； 辐照加固 中图分类号： TN321?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2013）06?0109?04 0 引 言 元器件是电子系统的关键部件。随着人们对电子产品质量可靠性要求的不断增加，尤其是在航空航天领域、舰船、卫星和计算机等领域，为了不出现因电子元器件失效造成灾难性后果，必须开展评价元器件可靠性和提高元器件可靠性的工作，其中电子元器件的失效分析发挥着越来越重要的作用[1]。随着各种设备被广泛用于人造卫星、宇宙飞船和核武器等系统中，基本的电子元器件也不可避免的处于空间辐射和核辐射等强辐射环境下，提高器件的抗辐射能力成为设备、系统长寿命的重要要求。辐照能改变材料的微观结构，导致宏观尺寸和材料的多种性质变化。在晶体中，辐照产生的各种缺陷一般称为辐照损伤。辐射会对