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用复合组织设计来改善二硅化钼材料的低温抗氧化性能 王刚1’2 江莞1 1中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室(200050) 2中钢集团洛阳耐火材料研究院(471039) 摘要本文阐述了二硅化钼材料低温氧化机理。在此基础上，根据二硅化钼低温氧化的机理，提出了 用复合组织设计的方法，通过选择添加第二相使其分布于二硅化钼材料一维晶界处，形成网状的显微组 织结构，来达到改善其抗低温氧化性能的设想，研究结果表明此方法是有效的。 关键字二硅化钼，复合组织设计，低温氧化 l 前言 在这个温度范围内的应用受到限制，同时作为有前途的高温结构材料，使用时由于频繁升降温且通过这 很有价值的结果。但是MoSi2的低温抗氧化问题一直没得到彻底的解决。进入90年代以来，随着rI工 业的发展，为处理单晶硅片需要具有可快速升降温的热处理装置用发热元件。MoSi2的良好性质如高熔 点(2303K)、优良的高温抗氧化性和电阻特性，且具有热容量低、表面负荷密度极限高的特点，足以满 特性会使发热元件的寿命减少到正常使用寿命的l，4以下【3】。为解决这一问题，本工作探讨了用复合组 织设计来改善二硅化钼低温抗氧化性能。 2二硅化钼低温氧化的机理 以