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* 第一章 绪论 模拟信号：时间幅值上连续，在一定动态范围内可能取任 意值的信号。 数字信号：时间或者数值上离散的信号。数字信号用0，1 表示。 放大电路四种模型 1．???电压放大Av 2.电流放大AI 3.互阻放大AR 4.互导放大AG 放大电路主要性能指标 1．输入电阻： ? 从放大电路输入端看进去的等效电阻。 2．?输出电阻：决定放大电路带负载能力。 3．? 增益 4．? 频率响应及带宽 5．? 失真： 1）? 线性失真: 2）? 非线性失真： 线性电抗元件引起的失真 放大器件的非线性引起 2 运算放大器 理想运算放大器 1. vo的饱和极限值为电源电压 Vom=V+和-Vom=V- 2. 开环增益高，输入很小时，输出vo即可达饱和极限值 3.输入趋于0 时，运放工作于线性。 4.输入阻抗ri高，流入、流出输入端电流近似为0 。 5. 输出阻抗r0低，近似为0 。 由此， ri≈∞， r0≈0，Avo→∞ 虚短 虚断 同相放大电路 电压跟随 反相放大电路 求差电路 选 求和电路 若R1=R2=R3 可扩展为多个输入端 积分电路 当输入阶跃电压时 微分电路 vI为阶跃信号时.如图 以上应用运放工作于线性区 第三章????半导体二极管及其基本电路 ⑶、光敏、热敏（导电性显著改变） ⑵、掺杂[如掺入硼5（B），磷15（P)]后导电性显著改变. 特性：⑴、导电性介于绝缘体和导体之间. 本征激发 PN 结 建模 1.理想模型 2.恒压降模型 3.? 折线模型 4.小信号模型 PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 导通钳位 参数; 最大整流电流IF 反向击穿电压VBR 杂质半导体 齐纳二极管（稳压管） 稳压管使用时必须加限流电阻。 反向应用 4? 半导体三极管及放大电路基础 结构特点： b薄（基区薄），e浓（掺杂浓度大），c大（集电区大） 直流通路：在电路中只考虑直流信号作用。要获得直流通路: 应将电路中电容开路。 交流通路：在电路中只考虑交流信号作用。要获得交流通路，应将电容短路，直流电压源短路，直流电流源开路。 2）放大区: be正偏, bc反偏, IC= IB VBE=0.7V 3）截止区: be、bc均反偏, VBE≤0 (实际﹤0.5V就认为截止) Ic=ICEO≈0 VCE=VCC IB=0以下区域 1）饱和区:bc, be均正偏(Vce﹤0.7V) Q点上移，Vce→0 e发射有余, c收集不足, Ic≠βIB Ics=Vcc/Rc, IB﹥IBS =Ics/ β 三种工作状态 三种电路组态 1）饱和失真: 由于工作点设置过高, 使输出失真。 2）截止失真: 工作点设置过低, 使输出失真。 两种非线性失真 共发：be入，ce出，入-出反向，电压、电流放大 共基：eb入，cb出，入-出同向，电压放大 共集：bc入，ec出，入-出同向，电流放大 判断三极管能否工作：直流有无偏置，交流能否加上（输入、输出） 温度对BJT参数及特性的影响 1）T↑ ICBO↑→ICEO↑ →IC ↑ 2）T↑ 扩散↑→ ↑ 0.5℅—1℅，输出特性间隔变大 3）T↑ VBE↓ 硅：－2.2mV / 通过Ib↑影响Ic↑ 多级放大器三种极间耦合方式：直接（低频特性好）， 阻容耦合（各级Q点独立）， 变压器耦合（高频） 总增益：AV=AV1×AV2×…. 5.??场效应管放大电路 普通晶体管：输入阻抗低 ce rbe 几百～几千 电流控制器件 1) 结型 JFET ri 106～109 2) 金属—氧化物—半导体场效应管 MOSFET ri 1015 电压控制器件 六种转移特性 iD=f（vGS）∣vDS=C VP VP VT VT N沟道MOS增强 P沟道MOS增强 N沟道MOS耗尽 P沟道MOS耗尽 N沟道结型 P沟道结型 两种偏置电路 自偏压 分压式 两种放大电路 共源：gs入，ds出，反向 共漏：gd入，sd出，同向 6 模拟集成电路 电流源 ?? 镜像电流源 微电流源 （ BJT、FET） 作用：提供偏置；作负载。 两种信号：差模信号和共模信号 差模信号： Vid=（Vi1－Vi2） 差模信号为两信号之差 通常为大小相等，极性相反的信号。 Vo