高功率脉冲磁控溅射的阶段性放电特征-北京大学新材料学院.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 17 (2014) 175201 高功率脉冲磁控溅射的阶段性放电特征 吴忠振 田修波 李春伟 Ricky K. Y. Fu 潘锋 朱剑豪 1)(北京大学深圳研究生院新材料学院, 深圳 518055) 2)(哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室, 哈尔滨 150001) 3)(香港城市大学物理与材料科学系, 香港 九龙) ( 2014 年3 月14 日收到; 2014 年3 月31 日收到修改稿) 本文从放电靶电流出发, 采用一种新的研究方法, 即将靶电流分解为多个代表具体放电特性的特征参数, 全面而系统的研究了不同的工作气压条件下, 靶电流各特征参数随靶电压的增加而进行的演化. 结果发现高 功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS) 放电靶电流在靶电压由低向高增加的过程中, 出现靶电流峰值和平台值的 交替变化, 体现出明显的阶段性放电特征, 且不同的放电阶段在不同气压下出现一定的移动, 会在测量范围内 出现某些放电阶段的缺失. 本文还通过等离子体发射光谱对HPPMS 放电靶前等离子体测量发现五个不同的 放电阶段分别主要对应氩原子、铬原子、氩离子、铬离子和氩、铬高价离子的放电, 但不同的放电条件下相邻的 阶段会出现一定程度的交叠. 关键词: 高功率脉冲磁控溅射, 放电靶电流, 工作气压, 阶段性放电 PACS: 52.80.–s, 52.25.Jm, 52.70.–m, 52.70.Ds DOI: 10.7498/aps.63.175201 可高达1000—3000 W/cm , 溅射材料离化率可高 1 引 言 达90% 89 . 但是, 随着对HPPMS 技术的研究和开 发, 其放电的复杂性逐渐展现出来, 而放电稳定性 磁控溅射技术作为物理气相沉积(PVD) 的主 和重复性却是决定磁控溅射镀膜质量的好坏和镀 要薄膜制备技术之一, 相对于其他镀膜方法来说, 膜工艺选择的重要因素. 具有低温沉积、膜厚容易控制、重复性好、溅射成 近十几年来, 越来越多的研究者们投身 膜的粒子能量适中、不产生大颗粒等优点13 . 然 于HPPMS技术的放电特性及其等离子体特性研 而常规的直流磁控溅射技术(DCMS)溅射材料离 究, 其研究方法主要由两种. 一是通过研究放电 化率低、粒子可控性差这一缺点, 使其在进一步 伏安特性曲线来寻求靶电流的表现形式与放电等 提高膜基结合力、提高粒子绕射性等方面的应用 离子体之间的对应关系1012 . 比如Anders 等11 45 在纯氩气环境下, 采用不同的靶材(Cu, Ti, Nb, C, 受到限制 . 高功率脉冲磁控溅射技术(HPPM- S) 正是在这一背景下应运而生, 该技术最早是 W, Al 和Cr) 和复合脉冲研究了高功率磁控溅射的 6 电压- 电流-时间关系, 总结了一些特定材料的靶电 由Kouznetsov等于1999 年提出的 . 其核心思想 是: 把传统的直流磁控放电电压(400 V 左右) 改成 流随靶电压的变化而产生的演化规律, 并