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浅谈光纤传输中光探测器原理和应用 　　摘要：通过光纤传输的光如果不接收，则变得无用而被舍弃。接收这种传输光的就是光探测器，包括放大器和补偿器（整体就是接收机）。本文将讨论光纤传输中的光探测器原理及应用。 关键字：光纤传输 光探测器 光电二极管 中图分类号： TN913 文献标识码： A 文章编号： 发射机发射的光信号经光纤传输后，不仅幅度衰减了，而且脉冲波形也展宽了。光接收机的作用就是检测经过传输后的微弱光信号，并放大、整形、再生成原输入信号。它的主要器件是利用光电效应把光信号转变为电信号的光探测器。对光探测器的要求是灵敏度高、响应快、噪声小、成本低和可靠性高，并且它的光敏面应与光纤芯径匹配。用半导体材料制成的光探测器正好满足这些要求。 1 光探测器的原理 1.1光功率和电信号 发光二极管和半导体激光器的输出频谱是随机起伏的。严格说来具有非相干性。但是，如果利用将光功率变为电信号电压的普通的光探测器，以进行包络线检波，即使改变光频谱，也能准确地读取调制的电信号，这种普通的光探测器是把功率（与电压的平方成正比）转换为电信号，因而叫做平方律检波。值得注意的是，应该解调的电信号大小所受损耗与光损耗的平方成正比。与此相反，正在研究的外插方式是利用相位干涉的方式，被认为是未来方式。 1.2光探测器的条件 光通信接收装置需要将光信号变为电信号的光探测器（平方律检波）。这种光探测器需要有如下特点：灵敏度要高（要与光的波长相对应）；频带要宽（或要高速相应）；附加噪声要小；特性不因外界条件而变；不需要高压电源。 这种光探测器中有半导体光探测器，它使用PIN光电二极管（PD）、雪崩电二极管（APD等。 1.3 PIN光电二极管 （1）PIN光电二极管的原理 PIN 二极管与 PN 二极管的主要区别是，在 P 和 N 层之间加入了一个 I 层，作为耗尽层。I 层的宽度较宽，约有（5 ~ 50）μm，可吸收绝大多数光子，使光生电流增加。 当光入射到P+区，则生成的电子或空穴对分别流向（+），（-）电极，形成光电流。为加快响应速度而施加反偏压，但不能产生雪崩放大。虽无电流倍增作用，但有噪声小的特点。 1.4雪崩光电二极管（APD）的原理 雪崩光电二极管（APD）是利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增的高灵敏度探测器。APD的结构设计，使它能承受高的反向偏压，从而在 PN 结内部形成一个高电场区。APD能提供内部增益，工作速度高，已广泛应用于光通信系统中 在APD中，因为在pn结有反偏压，所以p+区或耗尽层P区所形成的载流子因电场而漂移，向电极方向汇集，以产生电流。此时若加大反偏压，则产生雪崩效应，而使光电流倍增。在雪崩放大过程中，在光电流放大的同时产生过电流噪声。 2 MSM光电探测器 金属-半导体-金属（MSM）光电探测器与PN结二极管结构不同，然而，它的光/电转换的基本原理却仍然相同，即入射光子产生电子-空穴对，电子-空穴对的流动就产生了光电流。 2.1MSM光电探测器原理 象手指状的平面金属电极沉淀在半导体的表面，这些电极交替地施加电压，所以这些电极间存在着相当高的电场。光子撞击电极间的半导体材料，产生电子-空穴对，然后电子被正极吸引过去，而空穴被负极吸引过去，于是就产生了电流。 2.2 MSM光电探测器特点 与PIN和APD探测器相比，这种结构的结电容小，所以它的带宽大，这种器件很有可能工作在300GHz。另外它的制造也容易。但缺点是灵敏度低（0.4 ~ 0.7A/W），因为半导体材料的一部分面积被金属电极占据了，所以有源区的面积减小了。 3 单向载流子探测器(UTC-PD) 按光的入射方式，探测器可以分为:面入射光电探测器 (a) , 如一般的PIN, 响应速度慢；边耦合光电探测器 (c) ，如UTC-PD/TW-PD, 效应速度快。 3.1面入射光电探测器 在面入射光电探测器中，光从正面或背面入射到探测器的光吸收层中，产生电子空穴对，并激发价带电子跃迁到导带，产生光电流。所以，在面入射光电探测器中，光行进方向与载流子的渡越方向平行，如一般的PIN探测器。 3.2边入射光电探测器 在边耦合光电探测器中，光行进方向与载流子的渡越方向互相垂直；很好地解决了吸收效率和电学带宽之间对吸收区厚度要求的矛盾。边耦合探测器比面入射探测器可以获得更高的3dB响应带宽。 3.2.1波导探测器 (WD-PD) 面入射光电探测器的固有弱点是量子效率和响应速度相互制约；一方面可以采用减小其结面积来提高它的响应速度，但是这会降低器件的耦合效率。另一方面也可以采用减小本征层（吸收层）的厚度来提高器