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维普资讯 第 36卷 第 5期 材 料 保 护 V01．36 No．5 2003年 5月 MATER LSPR0TEC，兀0N May2003 、 。 ；试验研究》 c 低偏压下化学气相沉积金刚石薄膜的生长形貌研究 王传新 ．．。汪建华 。马志斌 。满卫东 ．．，王升高 ．一。康志成 ，吴素娟 (1．中国科学院等离子体物理研究所 ，安徽 合肥 230031； 2．武汉化工学院湖北省微波等离子体化学与新材料重点实验室 ，湖北 武汉 430073) [摘 要】 在微波等离子体化学气相沉积装置 中，研究了偏压 电压 、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响。 实验结果表明，生长时施加低 的村底偏压对金 刚石的晶形显露有较大的影响 ，正的偏压有利于(111)面显露 ，负偏压有利于 (】o0)面显露。在低偏压务件下生长时，低 的沉积气压和 甲烷浓度有利于(111)面显露 ；而高的气压和 甲烷浓度有利于 (10o) 面显露。过 高的甲烷浓度将恶化金刚石质量，出现菜花状组织，无明显的晶面显露。 [关键词】 化学气相沉积 ；低偏压生长；金刚石薄膜；图像 [中图分类号] TG174．4 [文献标识码] A [文章编号] 1001—1560(2003)05—0001—04 GrowthMorphologyofCVD DiamondFilm underLow BiasVoltage WANG Chuan．xin一，WANG Jian．hua2，MA Zhi． ， MANWei-dong一，WANGSheng-gao一，KANGZhi．cheng，、ⅣUSu-juan2 (1．TheInstituteofPlasmaPhysics，ChineseAcademyofSciences，Hefei230031； 2．DepartmentofMaterialScienceandEngineering，Wuhna InstituteofChemicalTechnology，Wuhna 430073，China) Abstract：Theeffcetsofbias voltage，methnaeconcentrationnadgas pressureonhteappearanceofdiamondcrys— tallinefacetshadbeeninvestigatedinamicrowaveplasmavapordepositionreactor．Theresultsshowedhtatalow sub— stratebias voltageduringhtegrowth processwouldinfluencehteappearanceofdima ondcrystallinefacets．A positive biasvoltageWas helpfulforhteformationofa(111)texturedmorphology，whileanegativebiasvoltageWasusefulofr a(100)texturedgrowth．Underalowbiasvoltage，lowgaspressureandmehtalleconcentrationWasusefulofrhtede— velopingofa(111)texturedmoprholoyg．Increasinggaspressurenadmehtaneconcentration，thesurfacemoprholoyg wouldtransfonnfrom (111)textureto(100)texture．Overhighmehtnaeconcentrationwoulddecreasehtequalityof diamondfilm nadresulti