第5章 存储器及其接口技术.ppt

(6)Flash Memory 快擦写可编程只读存储器，简称为闪存(闪速存储器)。可以用电气方法快速擦写存储单元的内容，类似于EEPROM。既具有SRAM的读写功能和较快速率，又具有ROM断电后信息不丢失的特点。主板上BIOS和USB闪存盘上的Flash Memory芯片，如图下所示。 2764A的工作方式 2764A共有八种工作方式，分别为。 ①标准编程方式 ②Intel编程方式 ③编程校验 ④编程禁止 ⑤读出方式 ⑥读出禁止 ⑦备用方式 ⑧读Intel标识符 3.译码芯片74LS138 74LS138译码器是常 用的译码芯片，功能是3 －8译码器，有三个“选 择输入端”C、B、A和三 个“使能输入端” G1、 G2A，G2B以及8个输出端 Y7--Y0 4.译码芯片74LS139 74LS139是一款2-4译码器，其内部分为A、B两组译码器， 可分别单独使用，其引脚如下图所示： 假定一个存储器的容量为M×N位，若使用e×k位的芯片进行扩充。 （1）如果eM,k=N,则仅需要进行字的扩充。需要M/e个芯片 （2）如果e=M,kN,则需要进行位的扩充。需要N/k个芯片 （3）如果eM.kN,则需要字和位同时进行扩充。需要(M/e)*(N/k)个芯片 假定一个存储器的容量为M×N位，若使用e×k位的芯片进行扩充。从数据线和地址线考虑扩充问题 如果e=M,kN.说明数据线位数不够，则需要进行位的扩充。特点：每一个芯片的地址是一样的，即进行位的扩充时，每个芯片的地址是一样的。 如果eM,K=N.说明需要地址线不够，则需要进行地址线的扩充。特点：每一个芯片的地址是不一样的，即进行字的扩充时，每个芯片的的地址是不一样的。 如果eM,KN.说明需要地址线和数据线都不够，则地址线和数据线都要进行扩充。特点：某些芯片的地址是一样的。 (2)部分译码方式 　　部分译码：系统中高位地址线，只有一部分作为译码器的输入产生片选信号，对存储器芯片进行选址。 特点：是存在地址重叠问题，如下图所示。 (3)线选方式 线选法：选用高位地址线中的某一根，来单独选中某个存储器 上图从行的角度来看 ，有两行，每行有四列即四个芯片，列间四个芯片进行的是字的扩充。由四个1K*4的芯片构成4k*4的存储器系统。行之间进行的是位的扩充。由两个4k*4存储器组成了一个4k*8位的存储器系统。 上图从列的角度来看 有4列，每列有两行即两个芯片。行间进行的是位的扩充，由1k*4的芯片组成1k*8的存储器系统。这四列列之间进行的是字的扩充。由4个1k*8的存储器组成4k*8的存储器系统。 本章问题 随机读写存储器的主要特点是什么？静态RAM和动态RAM不同点是什么？ 半导体存储器的主要指标有哪些？ 利用高位地址线产生片选的方法有哪些？ 全译码和部分译码的特点分别是什么？ 本章作业 5.55.7 5.10 （1）（3） 5.12 存储器地址分配 存储器的地址线一致，所不同的只有片选端。 ××7FFH 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 ,A3 1 0 0 0 A2 1 1 0 0 A1 0 0 1 0 A0 1 0 0 0 A5 1 0 0 0 A4 1 0 0 0 ,A7 1 0 0 0 A6 1 0 0 0 A8 1 …… 0 0 0 A10 1 0 0 0 A9 ××7FEH …… ××002H ××001H ××000H 0 0 2716(1) ,A11 A12 × × FFFH 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 ,A3 1 0 0 0 A2 1 1 0 0 A1 0 0 1 0 A0 1 0 0 0 A5 1 0 0 0 A4 1 0 0 0 ,A7 1 0 0 0 A6 1 0 0 0 A8 1 …… 0 0 0 A10 1 0 0 0 A9 × × FFEH …… × × 802H × × 801H ××800H 1 0 2716(2) ,A11 A12 ×17FFH 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 ,A3 1 0 0 0 A2 1 1 0 0 A1 0 0 1 0 A0 1 0 0 0 A5 1 0 0 0 A4 1 0 0 0 ,A7 1 0 0 0 A6 1 0 0 0 A8 1 …… 0 0 0 A10 1 0 0 0 A9 ×17FEH …… × 1002H × 1001H × 1000H 0 1 2716(3) ,A11 A12 × 1FFFH 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 ,A3 1 0 0 0 A2 1 1