课题一 任务2 二极管的检测和选用.pptVIP

* 任务2 二极管的检测和选用 学习目标 1.了解二极管的型号命名和主要参数 2.能够正确选用二极管 3.能正确完成二极管的检测（重点难点） 4.掌握二极管的伏安特性（重点难点） 1、什么是半导体及杂质半导体的分类 2、半导体有哪几种类型 3、PN结的概念及其导电特性是什么 复习回顾 一、二极管的命名方法 规格号 序号 功能 A—N型锗材料 B—P型锗材料 C—N型硅材料 D ——P型硅材料 二极管 2 材料 如2DW5表示序号为5的由P型硅材料制成的稳压二极管。 （ ） P—普通管 W—稳压管 Z—整流管 K ——开关管 二、二极管的伏安特性 硅管0.5V,锗管0.2V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压＞死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.1~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 （１） 正向特性 硅二极管的死区电压Uth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Uth=0.2 V左右。 当0＜uD＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。 当uD＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当uD＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 正向特性 硅管： UD(on)=0.7V 锗管： UD(on)=0.3 V 开始出现正向电流，并按指数规律增长。 uD＞Uth 正向 导通 硅管： Uth=0.5 V 锗管： Uth=0.2 V 正向电流为零， 0＜uD＜Uth 正向 截止 备注 特点 条件 工作状态 理想二极管导通时的管压降为0 （２） 反向特性 当uD＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当UBR＜uD＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当uD≤UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压 。 UBR：反向击穿电压 反向电流 急剧增加。 uD≤UBR 反向 击穿 硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 反向电流很小，约为IS（反向饱和电流） UBR＜uD＜0 反向 截止 备注 特点 条件 工作状态 反向特性 三、二极管的主要参数 １ ★最大整流电流IF（最大正向电流） 允许通过二极管的平均电流的最大值。 2 ★最高反向工作电压UR（耐压值） 允许加在二极管两端反向电压的最大值。 一般情况下UR=0.5UBR 3 ★反向饱和电流IR 在规定的反向电压和环境温度下的反向 电流。IR越小，二极管单向导电性能越好， 工作越稳定。IR对温度很敏感。 4 ★最高工作频率fM 二极管正常工作的上限频率 四、正确选用二极管 1.参数的选择。 不超过二极管规定的最大额定值 2.材料的选择。 硅管受温度的影响较小，工作较为稳定，使用较多。 3.结面积大小的选择。 点接触型允许通过的电流小，工作频率高；面接触型和平面型则相反。锗—点接触，硅—面接触和平面型 4.用途的选择。 5.替换原则：类型相同、特性相近、外形相似 五、用万用表检测二极管的方法 测得的正反向电阻一小一大，则二极管良好；测得的阻值较小的一次黑表笔所接为正极 如果正向压降为000，表示二极管内部短路 硅管和锗管的区分： 测试二极管的正向电阻，可根据表头指针的偏转角度来进行判断 若指针指示 刻度中间偏右一点——硅管 靠近0的位置——锗管 1. 硅稳压二极管：工作在反向击穿区 2. 发光二极管：工作在正向电压 3. 光电二极管：工作在反向电压，加反向电压，但 无光线照射时，二极管不导通；受 光线照射时导通。 4. 变容二极管: 工作在反向电压。反向电压增大时 ，结电容减小。 六、几种特殊用途的二极管 P普通管，V微波管，W稳压管，C参数管，Z整流管，S隧道管N阻尼管，U光电材料，K开关管，X低频小功率官，G高频小功率管 反向击穿破坏了二极管的单向导电性，如果没有限流措施，二极管很可能因电流过大而损坏。 “1”表示反向电阻趋向无穷大 *