磁耦合效应对半无限超晶格中表面电子态的影响!-物理学报.pdfVIP

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磁耦合效应对半无限超晶格中表面电子态的影响!-物理学报

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 .’ * %%$ * , , , N@4 ).’ M@ )* O94P %%$ ( ) !%%%0’(%F%%$F.’ %* F’’%0%- ,GH, IAJKLG, KLMLG, !%%$ G83 ) I8P7 ) K@; ) 磁耦合效应对半无限超晶格中 表面电子态的影响! )) ) ) ) ) ! # ! ! 黄维清 陈克求 帅志刚 王玲玲 胡望宇 !)(湖南大学应用物理系,长沙 $!%% ) )(中国科学院化学研究所有机固体重点实验室,北京 !%%%% ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) %%’ !! !’ %%’ ! ( 在有效质量近似理论下,采用有效垒高方法,研究了在沿超晶格生长方向加一有限磁场时磁耦合效应对半无 限半导体超晶格中表面电子态的影响) 当考虑超晶格中阱层和垒层之间电子有效质量的差别时,沿超晶格生长方 向的磁场将导致磁耦合效应的出现 研究结果表明,磁耦合效应不仅引起表面电子能级的量子化,而且表面电子能 ) 级的大小及其在表面附近的局域程度也依赖于磁场的大小和朗道指数) 此外,研究表明布洛赫波数的虚部可以作 为一个衡量表面电子态局域程度的物理量) 关键词:超晶格中的电子态,表面态,磁场 : , , !## *’%+ *’%, *-%+ [ ] 可用作理想的光调制和检测器!* ) != 引 言 [ — ] [ ,— ] 近 年来,人们从实验! ! 和理论!- - 上 % 自!(*% 年江崎和朱兆祥提出超晶格概念以来, 对超晶格中表面态的性质进行了深入的研究) ?8@ [ , ] 对低维纳米结构,如量子点、量子线、量子阱和超晶 等人! !( 利用光致发光光谱和光电流谱等方法首次

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