子阱及非对称势垒对 GaN RTD 电学特性的影响.PDF

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2017-11-28 发布于天津
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第卷第期太赫兹科学与电子信息学报年月文章编号子阱及非对称势垒对电学特性的影响苏娟谭为高博中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心四川成都四川大学物理科学与技术学院四川成都摘要利用软件对共振隧穿二极管进行仿真重点研究了子量子阱结构及相应非对称势垒结构设计对其电流特性的影响对比分析了子量子阱结构中的组分和子阱厚度对微分负阻特性的影响得出了提升器件性能的最佳参数范围为了克服势垒低对器件电流峰谷比的影响在子量子阱结构的基础上引入了非对称势垒结构设计通过改变收集区侧势垒的高度和厚度将的和由基本结构的和提高

第 15 卷第 5 期太赫兹科学与电子信息学报 Vo1.15，No.5 2017 年 10 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Oct.，2017 文章编号：2095-4980(2017)05-0855-06 子阱及非对称势垒对 GaN RTD 电学特性的影响