半导体掺杂简介.doc

第十一章 掺杂 概述 导电区和N-P结是晶圆内部或表面形成的半导体器件的基本组成部分。他们是通过扩散或离子注入技术在晶圆中形成的。本章将具体介绍N-P结的定义，扩散与离子注入的原理及工艺。 目的 完成本章后您将能够： 定义P-N结。 画出完整的扩散工艺流程图。 描述淀积步骤与推进步骤的不同。 列举三种类型的淀积源。 画出淀积和推进工艺的典型杂质浓度与深度位置的关系曲线。 列举离子注入机的主要部件。 描述离子注入的原理。 比较扩散与离子注入工艺的优势劣势。 结的定义 使晶体管和二极管工作的结构就是N-P结。结（junction）就是富含带负电的电子的区域（N 型区）与富含空穴的区域（P型区）的分界处。结的具体位置就是电子浓度与空穴浓度相同的地方。这个概念在扩散结的形成章节中已作过解释。 在半导体表面形成结的通常做法是热扩散（diffusion）或离子注入（ion implantation）。 掺杂区的形成 扩散的概念 扩散掺杂工艺的发展是半导体生产的一大进步。扩散，一种材料通过另一种材料的运动，是一种自然的化学过程，在现实生活中有很多例子。扩散的发生需要两个必要的条件。第一，一种材料的浓度必需高于另外一种。第二，系统内部必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料。扩散的原理被用来将N-型或P-型杂质引进到半导体表层深部。然而，小尺寸器件的要求使业界转而采用离子注入作为主要的掺杂技术。但是，一旦杂质进入晶圆的表面，后续的高温过程都会使它继续移动。扩散定律决定了后续的移动。 气相扩散的一个例子就是常见的充压的喷雾罐（图11.1），比如房间除臭剂。按下喷嘴时，带有压力的物质离开罐子进入到附近的空气中。此后，扩散过程使得气体移动分布到整个房间。这种移动在喷嘴被按开时开始，并且在喷嘴关闭后还会继续。只要前面的喷雾引入的浓度高于空气中的浓度，这种扩散过程就会一直继续。随着物质远离喷雾罐，物质的浓度会逐渐降低。这是扩散过程的一个特性。扩散会一直继续，直到整个房间的浓度均一为止。 图11.1 扩散的实例 一滴墨水滴入一杯水中时，展现的就是液态扩散的例子。墨水的浓度高于周边水的浓度，于是立即向杯中的水中扩散。扩散过程会一直继续直到整杯水有相同的颜色为止。这个例子还可以用来说明能量对扩散过程的影响。如果杯中的水被加热（给予水更多的能量），墨水会更快地扩散到杯中。当掺杂过的晶圆暴露接触一定浓度的相反类型的杂质原子时，会发生相同的扩散现象。 掺杂区和结的扩散形成 扩散工艺掺杂后的晶圆中杂质的检查，显示了掺杂区和结的形成。初始时的情况显示在图11.2中。显示的晶圆来自P-型晶体。图中的“+”符号代表单晶生长过程中引进的P型杂质。它们均匀地分布在整片晶圆中。 晶圆经过热氧化及图形工艺后，氧化层的上面会留出个空洞。扩散炉管里，晶圆在高温条件下暴露于一定浓度的N-型杂质中（图11.3中的“-”符号）。N-型杂质透过氧化层上的空洞扩散到晶圆内部。 对晶圆不同深度处发生变化的检查，显示了掺杂在晶圆内部引起的变化。扩散炉管中的条件设置使得扩散到晶圆内部的N-型杂质原子数量高于第一层中P-型原子的数量。在此演示中，N-型原子比P-型原子多七个，从而使其成为N-型导电层。 扩散过程随着N-型原子从第一层向第二层的扩散而继续（图11.4）。同样，第二层中N-型杂质的数量高于P-型，使第二层转变为N-型。表（表11.5）中显示的是每一层中N-型与P-型原子的计数。这个过程会继续到晶圆深部。 图11.2 用于扩散的P-型晶圆 图11.3 扩散工艺的开始 图11.4 扩散后的晶圆切面图 N-P结 在第四层，N-型与P-型原子的数量恰好完全相同。这一层就是N-P结的所在。N-P结（N-P junction）的定义就是指N-型与P-型杂质原子数量相同的地方。注意在结的下方的第五层，只有3个N-型的院子，不足以将该层改变为N-型。 图11.5杂质数量与层导电类型 Layer (层) # N’s # P’s Net Layer (层) (-) (+) (N-P) 1 12 5 7 N 2 10 5 5 N 3 8 5 3 N 4 5 5 0 Jct 5 3 5 -1 P 6 0 5 -5 P N-P结的定义指出掺杂区中，N-型原子的浓度较高。P-N结意味着掺杂区域中P-型杂质的浓度较高。电流通过半导体结的特征行为造成单个半导体器件的特殊性能表现，这是14章的讨论内容。本章的重点放在晶圆掺杂区的形成与特征上。 固态扩散的目的 扩散工艺的目的有三个： 在晶圆表面产生具体掺杂原子数量（浓度） 在晶圆表面下的特定位置处形成N-P (或 P-N) 结 在晶圆表面层形成特定的掺杂原子（浓度）分布 横向扩散 图11.4中的扩散掺杂工艺显示外来杂质原子竖直进入晶圆。实际