射频磁控溅射方法制备氧化钒薄膜的研究pdf.pdfVIP

第 44 卷 　第 1 期 ( ) Vol . 44 　No . 1 厦门大学学报 自然科学版 　2005 年 1 月 J our nal of Xiamen U niver sit y (N at ural Science) J an . 2005 　 射频磁控溅射方法制备氧化钒薄膜的研究 1 ,2 1 1 1 ,2 3 李志栓 ,李 　静 ,吴孙桃 ,郭东辉 ,徐富春 ( 1. 厦门大学萨本栋微机电研究中心 ,2 . 厦门大学物理学系 ,3 . 厦门大学分析测试中心 ,福建 厦门 36 1005) 摘要 : 利用射频磁控溅射的方法 ,在不同的衬底温度和溅射功率下制备了氧化钒薄膜样品 ,并在纯氩气环境下作了退火 ( ) ( ) 处理 ,用 X 射线衍射 XRD 、X 射线光电子能谱 XP S 和激光扫描共聚焦显微镜扫描图像 ,对样品进行研究. XRD 分析显 示退火前样品为非晶态 ,退火后为结晶态 ,并用激光共聚焦显微镜对图像做了验证. 对比退火后样品的 XRD 图谱显示在 其它条件相同时 ,可以通过增大溅射功率或降低衬底温度 ,来提高退火后薄膜样品的结晶程度 ,并增强 V2 O5 (00 1) 晶面的 取向性 ;通过对比退火前样品的 XP S 谱可知在其它条件相同时 ,通过升高衬底温度或减小溅射功率 ,可以提高薄膜样品 中高价钒的含量. 关键词 : 射频磁控溅射 ;氧化钒薄膜 ;XRD ;XPS ;激光扫描共聚焦显微镜 O 484 　　　　　 A 　　　　　 (2005) 0 1003704 中图分类号 : 文献标识码 : 文章编号 : 　　近年来 ,氧化钒作为过渡金属氧化物 , 由于其广泛 气压始终保持在 1. 33 Pa ,靶距为 5 cm . 实验采用单质 ( ) ( ) 的用途 ,受到越来越多的关注. 其中二氧化钒 V O2 已 钒靶材 99 . 99 % ,通过改变衬底的温度以及溅射功率 [ 1 ,2 ] ( 经被用在光学转换 、光学记录 、红外传感等方面 ; 制备不同条件下的氧化钒薄膜样品 具体条件见表 ( ) [3 ] ) ( ) 三氧化二钒 V2 O3 被用在冶金 、电子 、化工等领域 ; 1 ,并分别在纯氩气 A r 环境下做了退火处理 ,退火 ( ) 温度为 450 ℃,保温时间25 min ,铜片辅助退火. 五氧化二钒 V2 O5 广泛应用于各种化学反应及 电致 变色