CuInGaSe2薄膜在共蒸发三步法中的相变过程-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 077201 * Cu(In, Ga)Se2 薄膜在共蒸发“三步法” 中的相变过程 † 刘芳芳 张力 何青 ( 南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 天津 300071 ) ( 2012 年6 月4 日收到; 2012 年12 月9 日收到修改稿) CIGS 薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题. 本文采用共蒸发“三步法” 工艺沉积Gu(In, Ga)Se2 (CIGS) 薄膜, 通过X 射线衍射仪(XRD) 和X 射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM) 结合的方法详细研究了“三步法” 工艺的相变过程, 并制备出转换效率超过15% 的CIGS 薄膜太阳电池. 关键词: CIGS 薄膜, 共蒸发三步法, 相变过程 PACS: 72.80.Cw, 73.50.−h, 73.90.+f DOI: 10.7498/aps.62.077201 2 实验 我们采用共蒸发“三步法” 工艺沉积了CIGS 1 引言 薄膜. 过程如图 1 所示: 第一步, 在衬底温度 300—400 ◦C 时共蒸发90% 的In, Ga 和 Se 元素 形成(In Ga ) Se 预置层. 第二步在衬底温度为 07 03 2 3 Cu(In,Ga)Se (CIGS) 薄膜太阳电池由于其廉 2 550—580 ◦C 时蒸发Cu, Se, 直到薄膜稍微富Cu 时 价、高效、性能稳定和较强的抗辐照能力成为各 结束第二步. 第三步, 在稍微富Cu 的薄膜上共蒸发 国太阳电池领域发展的重点. 目前, 国际上实验室 少量的In, Ga, Se, 在薄膜表面形成富In 的薄层, 并 利用传统的三步共蒸发方法所制备的CIGS 电池 最终得到接近化学计量比的Cu(In Ga )Se 薄膜. 07 03 2 转换效率已经达到了20.3%12 , 稳居薄膜太阳电 池之首, 本实验室共蒸发CIGS 薄膜电池之前最好 水平达到13.9%, 处于国内领先水平. 其中, 吸收层 CIGS 薄膜作为电池的p 型层, 担负着吸收和产生 光生载流子的任务, 其质量高低(化学组分、结晶 相等) 是决定电池效率的关键部分. 而其“三步法” 制备工艺中的相变过程比较复杂, 目前还没有统 一结论, 所以对CIGS 吸收层的生长控制还不太成 熟3−5 . 为了提高CIGS 薄膜质量及器件水平, 本文 采用共蒸发“三步法” 工艺沉积CIGS 薄膜, 通过不 同测试方法, 详细研究了“三步法” 工艺中CIGS 薄 膜的相变过程, 并归纳出相变过程与蒸发条件的关 图1 “三步法” 工艺的过